[实用新型]一种多量子阱结构及发光二极管有效
| 申请号： | 202022230865.0 | 申请日： | 2020-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN213636023U | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 李家安;李政鸿;林兓兓;张家豪 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体技术领域，尤其涉及一种多量子阱结构及发光二极管，其中多量子阱结构包括第一量子阱层、第二量子阱层和第三量子阱层，所述第三量子阱层由第三阱层和第三垒层交替层叠而成，其特征在于：所述第三垒层包括依次层叠的第一GaN子层、第一InGaN子层、第二InGaN子层、第三InGaN子层、第二GaN子层。本实用新型可以减少电子溢流及空穴穿隧效应，进而降低发光区非辐射复合效率并改善efficiency droop效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多量 结构 发光二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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