[实用新型]异质结太阳能电池及光伏组件有效

申请号：	202022068048.X	申请日：	2020-09-18
公开（公告）号：	CN213184318U	公开（公告）日：	2021-05-11
发明（设计）人：	吴华德;姚铮;张达奇;吴坚	申请（专利权）人：	嘉兴阿特斯光伏技术有限公司
主分类号：	H01L31/074	分类号：	H01L31/074;H01L31/05
代理公司：	苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235	代理人：	张炜平
地址：	314000 浙江省嘉兴市秀洲区高照街***	国省代码：	浙江;33
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本实用新型提供了一种异质结太阳能电池及光伏组件，其中所涉及的异质结太阳能电池中集电极包括设置于第一透明导电膜和/或所述第二透明导电膜表面的主栅以及垂直连接至所述主栅的副栅，所述副栅具有部分搭接于所述主栅背离单晶硅衬底一侧表面的第一副栅部；基于本实用新型所提供异质结太阳能电池的具体结构，第一副栅部与主栅之间的搭接方式可以使得主栅与副栅之间形成可靠的电性连接，可有效避免现有技术中出现主栅与副栅于连接位置处断开的风险，确保异质结太阳能电池光生电流收集的效果，可优化异质结太阳能电池的光电转化效率。
搜索关键词：	异质结太阳能电池组件
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

暂无信息

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于嘉兴阿特斯光伏技术有限公司，未经嘉兴阿特斯光伏技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202022068048.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利

一种硅基异质结太阳能电池及系统-202222819675.1
发明人：左国军;奚华;舒欣 -专利权人：常州捷佳创精密机械有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L31/074
摘要：本实用新型属于硅基异质结太阳能电池技术领域，具体涉及一种硅基异质结太阳能电池及系统，本硅基异质结太阳能电池包括：自上而下依次连接的正极金属导线、正面TCO导电膜、正面P型微晶硅掺杂薄膜层、正面本征非晶硅层膜层、N型晶硅衬底、背面本征非晶硅层膜层、背面N型微晶硅膜层、背面TCO导电膜、负极金属导线；本实用新型通过将正面P型微晶硅掺杂薄膜层置于正面能够减少正面的光学损失，也可以提高正面P型微晶硅掺杂薄膜层的掺杂效率，电导率增加，提高短路电流，在提高光学和电学性能的同时，将正面P型微晶硅掺杂薄膜层置于正面还可以减少PN结背结结构对衬底和本征层镀膜质量的过高要求，有利于工业化生产。

一种正面浮动结叠加SE的P型全背接触太阳能电池及其制造方法-202210592629.4
发明人：方超炎;陈德爽;任勇;何悦;任海亮 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/074
摘要：本发明涉及一种正面浮动结叠加SE的P型全背接触太阳能电池及其制造方法，所述太阳能电池包括P型硅基体，在所述P型硅基体的迎光面一侧，设置有作为浮动结的N型轻掺杂层以及部分位于浮动结中的SE重掺杂区；通过这种正面叠加SE的浮动结结构与所述P型硅基底背光面的发射区的配合，能有效提高背接触电池的载流子的分离和收集效率，有效减少载流子的复合，从而增加电池的转换效率；同时，因为SE设置于正面，可以使得背光面的空间留有富余，能够适当增加基区的宽度，因而降低了制造工艺的难度。

太阳能电池单元及其制造方法-202310322839.6
发明人：陈孝业;张俊兵;蒋秀林 -专利权人：晶澳（扬州）太阳能科技有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L31/074
摘要：提供太阳能电池单元和太阳能电池单元的制造方法。该太阳能电池单元包括：本公开的至少一些实施例提供一种太阳能电池单元，包括：硅基底；第一钝化层，其设置在硅基底的第一侧上；第一掺杂导电层，其设置在第一钝化层上，使得第一钝化层位于硅基底和第一掺杂导电层之间。第一掺杂导电层含有氧元素和碳元素，并且包含Si‑O化学键和Si‑C化学键。

基于p型硅基底的TOPCon光伏电池及制备方法-202310335415.3
发明人：胡继超;张子涵;贺小敏;孟佳琦;张奇 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L31/074
摘要：本发明公开了一种基于p型硅基底的TOPCon光伏电池，包括p型硅片，p型硅片背面由近到远依次设置有隧穿层、p型CuAlO2层、背电极；p型硅片正面由近到远依次设置有n型β‑Ga2O3层、钝化层、减反层；n型β‑Ga2O3层上设置有一对顶电极，两个顶电极依次贯穿钝化层和减反层且伸出减反层外部。本发明解决了现有技术中存在的因B‑O带来的复合缺陷导致的p‑TOPCon钝化质量差和光捕获能力差所引起的电池光电转换效率低的问题。

一种N型单晶硅HBC太阳能电池结构及其制备方法-202211702239.4
发明人：杨飞;连维飞;来霸 -专利权人：江苏爱康能源研究院有限公司;江苏爱康科技股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L31/074
摘要：本发明涉及的一种N型单晶硅HBC太阳能电池结构及其制备方法，它包括单晶硅衬底，所述单晶硅衬底的正面由上至下依次设有氮化硅层和非晶硅n+型晶体硅层；所述单晶硅衬底的背面设有交替排布的第一背面单元和第二背面单元，所述第一背面单元包括由上至下依次设置的二氧化硅隧穿层、P+型多晶硅层和第一复合膜层，所述第二背面单元包括由上至下依次设置的本征非晶硅层、N+型非晶硅层和第二复合膜层；所述第一复合膜层和第二复合膜层的外侧均设有电极。本发明通过沉积隧穿氧化层和多晶硅的技术，代替非晶硅，解决非晶硅掺杂效率低的问题。

太阳电池及其制备方法-202211668915.0
发明人：项文翔;龙巍 -专利权人：通威太阳能(成都)有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L31/074
摘要：本申请涉及一种太阳电池及其制备方法，属于太阳电池技术领域。该太阳电池包括单晶硅片、位于单晶硅片两个表面的介质层，位于两个介质层表面的本征非晶硅层，位于两个本征非晶硅层表面的掺杂非晶硅层；其中，介质层为除硅以外的异质元素与硅键接的层结构；异质元素为VA族、VIA族、VIIA族的主族元素。该太阳电池从原理上改善了单晶硅表面的外延生长，减少单晶硅/本征非晶硅界面处缺陷密度，改善本征非晶硅层的钝化效果，提高HJT太阳电池的开路电压和转换效率。

一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法-202110095617.6
发明人：董刚强;郁操 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L31/074
摘要：本公开实施例提供了一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法。在所述硅基异质结太阳能电池的背表面设置透明的光疏介质层，所述光疏介质层包括介质材料层，所述介质材料层的材料为光疏介质材料，所述光疏介质材料的折射率为范围在1‑3.7中任一值。通过在硅基异质结太阳能电池的背表面设置透明的光疏介质层，可以有效提升硅基异质结太阳能电池的电流。

一种异质结太阳能电池及其制备方法-202211530546.9
发明人：宿世超;王伟;田宏波;李世岚;宫元波 -专利权人：国家电投集团新能源科技有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L31/074
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法，包括N型单晶硅片受光面叠设第一N+扩散层、本征非晶硅层、第一N型非晶硅层、第二N型非晶氧化硅层、第三N型非晶硅层、TCO导电薄膜层及栅线电极；背光面叠设第二N+扩散层、本征非晶硅层、第一P型非晶硅层、第二P型非晶硅层、第三P型非晶硅层、TCO导电薄膜层及栅线电极；受光面设置第一N+扩散层，能提供额外的场钝化效果提升少数载流子寿命，背光面引入第二N+层扩散与P型非晶硅层形成更强的PN结内建电场，提高电池转化效率，双面沉积多层非晶硅层，保留高钝化效果，提高电池的光生电流，降低光生载流子传输时的电阻损失。

一种P型HBC电池结构及其制备方法-202210896409.0
发明人：杨飞;倪志春;连维飞;刘松民;张景洋 -专利权人：江苏爱康能源研究院有限公司;江苏爱康科技股份有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L31/074
摘要：本发明涉及的一种P型HBC电池结构及其制备方法，它包括P型硅衬底，所述P型硅衬底的背面中部设有一块P型重掺杂区，所述P型硅衬底的正面和背面均设有非晶硅本征层，所述P型硅衬底的背面的非晶硅本征层的外侧设有N型非晶硅掺杂层，所述P型硅衬底的正面的非晶硅本征层的外侧设有SiNX减反膜；所述N型非晶硅掺杂层的外侧设有TCO导电膜；所述TCO导电膜的外侧设有若干N型Ag电极，所述TCO导电膜上设有一个槽口，槽口的深度贯穿TCO导电膜和N型非晶硅掺杂层，使得P型重掺杂区的底部裸露，所述P型重掺杂区的底部连接P型Ag电极。本发明用铝浆料预烧结方式实现了局部的P++层，实现了对硅片热处理及吸杂处理，提高了硅片内在品质。

一种用热处理的N型单晶硅片制作SHJ太阳电池的方法-202010485202.5
发明人：刘正新;孟凡英;杜俊霖;付昊鑫 -专利权人：中威新能源（成都）有限公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L31/074
摘要：本发明公开了一种用热处理的N型单晶硅片制作SHJ太阳电池的方法，属于半导体光电转换领域，包括N型单晶硅片热处理工艺，所述N型单晶硅片热处理工艺处理前或后需要进行制绒处理；所述N型单晶硅片热处理工艺包括预处理加热过程、热处理过程以及后处理冷却过程，使N型单晶硅片表面形成磷扩散层和氧化硅层。降低N型硅片中金属和氧杂质对硅片的影响，使少子寿命的分布集中度增加，最终使硅异质结SHJ太阳电池以及N型高效率太阳电池的转换效率提高，分布的离散型降低，与常规工艺相比，热处理的硅片制作的太阳电池开路电压、短路电流、填充因子都有显著提高，使太阳电池的平均转换效率提高1.6％以上。

异质结电池-202221569212.8
发明人：杨文亮;鲍少娟;杨立友;王继磊;黄金;白焱辉;师海峰 -专利权人：晋能清洁能源科技股份公司;晋能光伏技术有限责任公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L31/074
摘要：本实用新型涉及一种异质结电池，属于太阳能电池技术领域。包括N型单晶硅片，N型单晶硅片正面依次沉积有正面本征非晶硅层、n型掺杂非晶硅薄膜、正面TCO膜层和正面金属栅线层，N型单晶硅片背面依次沉积有背面本征非晶硅层、第一微晶硅层、第一P型掺杂微晶硅层、第二微晶硅层、第二P型掺杂微晶硅层、背面TCO膜层和背面金属栅线层。本实用新型不仅可改善异质结电池的电学性能，增强导电性，提升异质结电池的转换效率，而且在一定程度上降低了异质结电池的背面电阻，在低电阻的基础上配合TCO背面低方阻工艺，可以在丝网印刷时减少背面栅线根数，降低成本，同时也增加了异质结电池背表面的受光面积，使异质结电池的双面率大幅提升。

一种双结叠层太阳能电池及其制备方法-201811573631.7
发明人：许吉林;乔秀梅;刘琦;梁鹏;王权;辛智渊;童翔 -专利权人：紫石能源有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L31/074
摘要：本发明涉及一种双结叠层太阳能电池及其制备方法，所述电池包括层叠设置的晶硅电池和硫硒化锑电池，所述硫硒化锑电池中设有硫硒化锑吸光层和缓冲层；制备所述硫硒化锑吸光层的材料Sb2(SexS1–x)3中，0≤x≤0.5；所述缓冲层的材料为Zn(O,S,OH)X、CdS、ZnO或(Zn,Mg)O中的一种或几种。本发明的叠层电池能够提高对太阳光谱的高效充分吸收，实现Sb2(SexS1‑x)3薄膜吸收300‑700nm波长的光，晶硅吸收700‑1200nm波长的光，从而使该叠层电池具有更宽光谱响应值。

一种铸锭单晶或多晶非晶硅异质结太阳电池的制作方法-202011160316.9
发明人：许志 -专利权人：福建新峰二维材料科技有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L31/074
摘要：本发明涉及一种以铸锭单晶或多晶为衬底的非晶硅异质结太阳电池片的制作方法，它包括以下步骤：1)将铸锭单晶(或多晶)硅片进行单面抛光制绒；2)在制绒面上形成第一钝化层；3)在第一钝化层上形成本征多晶硅层；4)硅片两面进行磷扩散处理；5)去除扩散层；6)在去除扩散层后的一面形成第二钝化层；7)在硅片两面沉积透明导电膜层；8)在硅片的正反面上形成金属电极。本发明中用薄氧化层叠加多晶掺磷层取代传统的非晶硅本征层和掺磷层，用多晶硅薄膜取代非晶硅薄膜，降低材料的吸光系数，同时提高背电场的导电性，有利于提高电池的短路电流和填充因子。

异质结太阳能电池及其制作方法-202011356701.0
发明人：吴华德;姚铮;陈曦;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L31/074
摘要：本发明提供了一种异质结太阳能电池及其制作方法，其中所涉及异质结太阳能电池具有分别设置于硅衬底受光面第一掺杂层与背光面第二掺杂层，第一掺杂层与第二掺杂层中的至少一个包含有至少两层层叠设置的掺杂膜，相邻两掺杂膜中，远离硅衬底的掺杂膜的掺杂浓度大于靠近硅衬底的掺杂膜的掺杂浓度；本发明中，第一掺杂层或/和第二掺杂层中靠近硅衬底的掺杂膜由于具有较低掺杂浓度，能够最大程度降低掺杂原子进入相应本征非晶层中，进而可以降低相应本征非晶层的缺陷密度；第一掺杂层或/和第二掺杂层中远离硅衬底的掺杂膜由于具有较高掺杂浓度，有利于场钝化，还能降低第一掺杂层或/和第二掺杂层与相应外层之间的接触电阻。

异质结太阳能电池及其制作方法-202011356703.X
发明人：姚远洲;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L31/074
摘要：本发明提供了一种异质结太阳能电池及其制作方法，其中所涉及的异质结太阳能电池包括包括：硅衬底，依次层叠设置于硅衬底第一表面侧的第一本征层、第一掺杂层，以及依次层叠设置于硅衬底第二表面侧的第二本征层、掺杂类型与第一掺杂层掺杂类型相反的第二掺杂层；第一本征层与第二本征层均包括至少两层依次层叠设置的本征非晶硅膜，且在硅衬底的每一表面侧，靠近硅衬底的本征非晶硅膜的晶化率小于远离硅衬底的本征非晶硅膜的晶化率；基于本发明中第一本征层与第二本征层的设计方式，可以使得第一本征层与第二本征层在对硅衬底具有最优钝化效果的同时，还能分别与相应的掺杂层之间具有较好的导电性，进而提高异质结太阳能电池的综合性能。

异质结太阳能电池和制备异质结太阳能电池的方法-202010903144.3
发明人：张美荣;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L31/074
摘要：本发明公开了一种异质结电池和制备异质结电池的方法，该异质结电池包括衬底层，在所述衬底层的受光面上叠层设置有第一本征层、第一掺杂层和第一透明导电层，其中，所述第一掺杂层包括叠层设置的至少三层掺杂子层。本发明的异质结电池和制备异质结电池的方法，在制程中工艺温度低，更节能，可以增强非晶硅掺杂层的场钝化性能，能有效改善界面间的载流子传输行为，从而保证电荷有效传输，提高异质结电池的光电转换效率。

异质结太阳能电池及制备其的方法-202010903153.2
发明人：张美荣;姚铮;吴华德;张达奇;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L31/074
摘要：本发明公开了一种异质结太阳能电池及制备其的方法，所述异质结太阳能电池，包括衬底层；在所述衬底层的一面上叠层设置有第一本征层、第一掺杂层和第一透明导电层，在所述第一透明导电层上设置有正面电极；其中，所述第一掺杂层包括第一掺杂子层、第二掺杂子层和第三掺杂子层，所述第一掺杂子层靠近所述第一本征层，所述第三掺杂子层靠近所述第一透明导电层，所述第二掺杂子层设置在所述第一掺杂子层和所述第三掺杂子层之间；所述第二掺杂子层的光学带隙大于所述第一掺杂子层的光学带隙、所述第三掺杂子层的光学带隙。该异质结太阳能电池可以降低掺杂层对光的寄生吸收，提升异质结太阳能电池性能。

异质结太阳能电池和制备异质结太阳能电池的方法-202010904648.7
发明人：张美荣;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L31/074
摘要：本发明公开一种异质结太阳能电池和制备异质结太阳能电池的方法，该异质结太阳能电池包括衬底层；在衬底层的受光面上叠层设置有第一本征层、第一掺杂层和第一透明导电层；第一掺杂层包括第一掺杂子层、第二掺杂子层和第三掺杂子层，第一掺杂子层靠近第一本征层，第三掺杂子层靠近第一透明导电层，第二掺杂子层设置在第一掺杂子层和第三掺杂子层之间；第一掺杂子层的晶化率较大而第二掺杂子层晶化率较小，第一掺杂子层和第三掺杂子层相对于第二掺杂子层电导率较大但载流子迁移率较小，本发明的异质结太阳能电池和制备异质结太阳能电池的方法，可以降低载流子浓度，提高光吸收与传输，提高异质结太阳能电池的光电转换效率。

异质结太阳能电池及其制作方法-202010847456.7
发明人：姚铮;吴华德;张达奇;吴坚;蒋方丹;邢国强 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L31/074
摘要：本发明提供了一种异质结太阳能电池及其制作方法，其中所涉及异质结太阳能电池结构的单晶硅衬底侧面上形成有多层非晶层，基于本发明所提供异质结太阳能电池的具体结构，可以避免第一透明导电膜层、第二透明导电膜层与单晶硅衬底侧面之间形成直接接触导致漏电，降低单晶硅衬底边缘受损风险；而单晶硅衬底的侧面由于被第一本征非晶层与第二本征非晶层共同包裹，还能有效提高单晶硅衬底整体的钝化效果，进而提高异质结电池片的光电转化效率。

异质结太阳能电池及其制作方法-202010847490.4
发明人：姚铮;吴华德;张达奇;吴坚;蒋方丹;邢国强 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L31/074
摘要：本发明提供了一种异质结太阳能电池及其制作方法，其中所涉及的异质结太阳能电池的单晶硅衬底的侧面上形成有非晶层，基于本发明所提供的异质结太阳能电池的具体结构，可以避免第一透明导电膜层、第二透明导电膜层与单晶硅衬底侧面之间形成直接接触导致漏电，降低单晶硅衬底边缘受损风险；而单晶硅衬底的侧面由于被第二本征非晶层包裹，还能有效提高单晶硅衬底整体的钝化效果，进而提高异质结电池片的光电转化效率。

异质结太阳能电池及其制作方法-202010847692.9
发明人：吴华德;姚铮;张达奇;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L31/074
摘要：本发明提供了一种异质结太阳能电池及其制作方法，其中所涉及异质结太阳能电池结构中单晶硅衬底的侧面被第一本征非晶层包裹，如此可以有效提高单晶硅衬底表面的钝化效果；此外，基于异质结太阳能电池的结构，在具体进行四层非晶硅层的制作时，通过选用设定结构的载板可以避免对单晶硅衬底的翻面动作，能够避免现有技术中因翻面动作引入污染而造成电池电性能下降的问题，还可缩短异质结太阳能电池的生产周期。

异质结太阳能电池及其制作方法-202010847713.7
发明人：吴华德;姚铮;张达奇;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L31/074
摘要：本发明提供了一种异质结太阳能电池及其制作方法，所涉及异质结太阳能电池中的第一本征非晶层与第二本征非晶层相连且完全包覆单晶硅衬底的侧表面，第一导电膜层与第二导电膜层中的至少一个具有周边延伸至单晶硅衬底侧表面外侧以连接两者的侧边导电部，异质结太阳能电池还具有将第一导电膜层、第二导电膜层连接构成的整体分割为两独立导电部的凹槽，两导电部分别电性连接至第一集电极与第二集电极；基于本发明异质结太阳能电池的具体结构，其具有较好的颜色均一性，而且单晶硅衬底具有最大程度的钝化效果，可有效提高异质结太阳能电池的光电转化效率。

异质结太阳能电池及其制作方法-202010847733.4
发明人：张达奇;姚铮;吴华德;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L31/074
摘要：本发明提供了一种异质结太阳能电池及其制作方法，其中所涉及异质结太阳能电池的单晶硅衬底侧面上具有非晶层，基于本发明所提供异质结太阳能电池的具体结构，可以避免第一透明导电膜层、第二透明导电膜层与单晶硅衬底之间形成直接接触导致漏电，降低单晶硅衬底边缘受损风险，而单晶硅衬底的侧面由于被第二本征非晶层的本征侧边部包裹，还能有效提高单晶硅衬底侧面的钝化效果。

异质结太阳能电池及其制作方法-202010847959.4
发明人：张达奇;姚铮;吴华德;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L31/074
摘要：本发明提供了一种异质结太阳能电池及其制作方法，其中所涉及异质结太阳能电池的单晶硅衬底侧面上具有非晶层，基于本发明所提供异质结太阳能电池的具体结构，可以避免第一透明导电膜层、第二透明导电膜层与单晶硅衬底之间形成直接接触导致漏电，降低单晶硅衬底边缘受损风险，而单晶硅衬底由于侧面依次覆盖有第一本征侧边部与第二本征侧边部，还能有效提高单晶硅衬底侧面的钝化效果。

异质结太阳能电池及其制作方法-202010848091.X
发明人：张达奇;姚铮;吴华德;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L31/074
摘要：本发明提供了一种异质结太阳能电池及其制作方法，其中所涉及异质结太阳能电池的单晶硅衬底侧面上具有非晶层，基于本发明所提供异质结太阳能电池的具体结构，可以避免第一透明导电膜层、第二透明导电膜层与单晶硅衬底之间形成直接接触导致漏电，降低单晶硅衬底边缘受损风险，而单晶硅衬底的侧面由于被第一本征侧边部与第二本征侧边部覆盖，还能有效提高单晶硅衬底侧面的钝化效果。

异质结太阳能电池及光伏组件-202010848132.5
发明人：吴华德;姚铮;张达奇 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L31/074
摘要：本发明提供了一种异质结太阳能电池及光伏组件，其中所涉及异质结太阳能电池包括单晶硅衬底，依次层叠设置于所述单晶硅衬底正面的第一本征非晶层、第一掺杂层、第一透明导电膜层以及第一集电极，依次设置于所述单晶硅衬底背面的第二本征非晶层、掺杂类型与所述第一掺杂层掺杂类型相反的第二掺杂层、第二透明导电膜层以及第二集电极；所述第一本征非晶层的厚度小于所述第二本征非晶层的厚度；本发明中第一本征非晶层厚度相对较小可以有效降低异质结太阳能电池正面的短波吸收，提高异质结太阳能电池的短路电流；而第二本征非晶层相对较厚可以提高异质结太阳能电池背面的钝化效果，提升异质结太阳能电池的开路电压。

异质结太阳能电池及光伏组件-202010848151.8
发明人：姚铮;吴华德;张达奇;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L31/074
摘要：本发明提供了一种异质结太阳能电池及光伏组件，其所涉及异质结太阳能电池中位于单晶硅衬底正面的第一掺杂非晶层包括位于第一本征非晶层表面的第一掺杂非晶硅膜以及位于第一掺杂非晶硅膜表面的掺杂非晶氧化硅膜或掺杂非晶碳化硅膜；基于该结构，可以在确保第一掺杂非晶层与第一本征非晶硅层具有良好接触的前提下提高第一掺杂非晶层的透光性，如此能降低太阳光在经过第一本征非晶层与第一掺杂非晶层时的损耗，进而可提高异质结太阳能电池的短路电流，有利于光电转化效率的优化。

异质结太阳能电池及光伏组件-202010848161.1
发明人：姚铮;吴华德;张达奇;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L31/074
摘要：本发明提供了一种异质结太阳能电池及光伏组件，其中所涉及异质结太阳能电池包括单晶硅衬底，依次层叠设置于所述单晶硅衬底受光面的第一本征非晶层、第一掺杂非晶层、第一透明导电膜层以及第一集电极，依次设置于所述单晶硅衬底背光面的第二本征非晶层、掺杂类型与所述第一掺杂非晶层掺杂类型相反的第二掺杂非晶层、第二透明导电膜层以及第二集电极；所述第一本征非晶层与所述第一掺杂非晶层厚度之和小于所述第二本征非晶层与所述第二掺杂非晶层厚度之和；本发明提供的异质结太阳能电池可以有效降低太阳光在经过第一本征非晶层与第一掺杂非晶层时的损耗，进而可提高异质结太阳能电池的短路电流，有利于光电转化效率的优化。

异质结太阳能电池及光伏组件-202010848164.5
发明人：姚铮;吴华德;张达奇;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L31/074
摘要：本发明提供了一种异质结太阳能电池及光伏组件，其中所涉及异质结太阳能电池中的第一透明导电膜层包括附于所述n型掺杂非晶层表面的第一TCO膜以及附于所述第一TCO膜表面的第二TCO膜，所述第一TCO膜中掺杂氧化物的质量占比大于所述第二TCO膜中掺杂氧化物的质量占比；本发明中，一TCO膜由于高掺杂能确保第一透明导电膜层与n型掺杂非晶层之间具有较好的接触，进而降低接触电阻，可以提升异质结太阳能电池的填充因子；而第二TCO膜由于低掺杂能从整体上增大第一透明导电膜层的透光性，可以提升异质结太阳能电池的短路电流。

异质结太阳能电池及其制作方法-202010848209.9
发明人：张达奇;姚铮;吴华德;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L31/074
摘要：本发明提供了一种异质结太阳能电池及其制作方法，其中所涉及异质结太阳能电池的单晶硅衬底侧面上具有非晶层，基于本发明所提供异质结太阳能电池的具体结构，可以避免第一透明导电膜层、第二透明导电膜层与单晶硅衬底之间形成直接接触导致漏电，降低单晶硅衬底边缘受损风险，而单晶硅衬底由于侧面依次覆盖有第一本征侧边部与第二本征侧边部，还能有效提高单晶硅衬底侧面的钝化效果。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[实用新型]异质结太阳能电池及光伏组件有效

专利文献下载