[实用新型]一种高双面率的背面电极结构有效
申请号: | 202021519195.8 | 申请日: | 2020-07-28 |
公开(公告)号: | CN212676281U | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 周公庆;姚骞;王秀鹏;马志强;马列;张家峰;常青 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(眉山)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/06 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 谢建 |
地址: | 620041 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种高双面率的背面电极结构,用于对双面电池的背面电极结构进行改进,属于太阳能电池技术领域,该背面电极结构包括多个背面银电极,还包括多条相互平行的银栅,以及与银栅相交的多条铝栅,多条所述铝栅之间相互平行,所述背面银电极之间至少通过一条银栅连接;本实用新型的背面电极结构能够有效的降低背面大面积铝栅的遮挡,从而提高双面电池背面的受光效果,提高短路电流,进而有效提高背面的效率,提高了双面率,同时有效降低背面电池在银栅之间的横向导电电阻,从提高了整个电池片的电性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 双面 背面 电极 结构 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的