[实用新型]均匀进气氧化气体匀化罩有效
| 申请号： | 202020797067.3 | 申请日： | 2020-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN211907391U | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 王勇;谢自力;黄愉;潘巍巍;彭伟 | 申请（专利权）人： | 南京集芯光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01S5/183 |
| 代理公司： | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人： | 张佳妮 |
| 地址： | 210008 江苏省南京市经济*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种均匀进气氧化气体匀化罩，其特征在于：所述匀化罩为四个侧面和一个顶面拼成或一体成型的正方体或无底面的半球形、弧形，所述匀化罩均匀分布有等径的通气孔。此装置能将被N2(载气)带入的水气平缓、稳定均匀的接触晶圆表面，避免进气口或者出气口水气乱流或者高温造成的氧化腔体内气流不稳而造成的湿法氧化不均匀、不稳定。本实用新型提供的使进气平缓、稳定、均匀的进气匀化罩，氧化时将样品放置于匀化罩内，气体不再是从单一方向流过样品，而是从外罩的开孔进入，保证流过样品的气体来自各个不同方向孔径，且能使水汽平缓降落在晶圆表面，从而达到样品匀速稳定氧化的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 均匀 氧化 气体 匀化罩 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
