[发明专利]一种通过异质外延保护环辅助单晶金刚石生长的方法有效
| 申请号： | 202011637468.3 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112813497B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 魏强;王宏兴;陈根强;张晓凡;宋志强;王若铮 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/18;C30B25/20 |
| 代理公司： | 西安维赛恩专利代理事务所(普通合伙) 61257 | 代理人： | 刘艳霞 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自适应协同外延生长单晶金刚石辅助环，用于设置在单晶金刚石衬底外围一周，为异质外延结构，包括：自下而上逐层分布的非金刚石衬底、异质外延形核缓冲层和单晶金刚石形核层；单晶金刚石形核层的晶向与待生长的单晶金刚石面的晶向一致。利用金刚石辅助环与同质外延单晶金刚石协同生长，提高同质外延单晶金刚石生长质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 外延 保护环 辅助 金刚石 生长 方法 | ||
【主权项】：
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