[发明专利]一种基于溶剂处理制备二硫化钼薄层及其薄膜晶体管的方法有效
| 申请号： | 202011609886.1 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112599468B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 张禹;王军;张浩;陈雄;武永华 | 申请（专利权）人： | 福建江夏学院 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/02 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 俞舟舟;蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种基于溶剂处理制备二硫化钼薄层及其薄膜晶体管的方法，采用胶带将MoS |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 溶剂 处理 制备 二硫化钼 薄层 及其 薄膜晶体管 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
