[发明专利]一种薄膜图形化工艺方法、复合薄膜及电子元器件有效

专利信息
申请号: 202011431053.0 申请日: 2020-12-09
公开(公告)号: CN112542379B 公开(公告)日: 2022-11-08
发明(设计)人: 李真宇;张秀全;李洋洋;杨超;韩智勇 申请(专利权)人: 济南晶正电子科技有限公司
主分类号: H01L21/265 分类号: H01L21/265;H01L21/3213;H01L41/187;H01L41/332
代理公司: 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 代理人: 逯长明;许伟群
地址: 250100 山东省济南市高新区港*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 本申请公开一种薄膜图形化工艺方法、复合薄膜及电子元器件,包括:由薄膜基体的离子注入面向薄膜基体内进行第一离子注入,在薄膜基体内形成薄膜层、分离层和余质层;将衬底基板与薄膜基体的离子注入面键合,得到第一键合体;对第一键合体热处理或机械拉扯处理,使余质层从第一键合体上剥离,得到第二键合体,第二键合体包括层叠的薄膜层和衬底基板;按照目标图形,对第二键合体中薄膜层进行刻蚀处理,得到具有目标图形的薄膜层;对经过刻蚀处理后的第二键合体退火处理。利用薄膜层内存在晶格损伤,从而薄膜层的物理特性有所衰减,因此,在退火处理前,按照目标图形,对第二键合体中薄膜层进行刻蚀处理,可以大大降低刻蚀难度,提高刻蚀速率。
搜索关键词: 一种 薄膜 图形 化工 方法 复合 电子元器件
【主权项】:
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