[发明专利]一种栅极氧化层烧写电路以及烧写方法在审
| 申请号： | 202011402055.7 | 申请日： | 2020-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN112511141A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 张胜;涂才根;谭在超;丁国华;罗寅 | 申请（专利权）人： | 苏州锴威特半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/08 | 分类号： | H03K17/08;H03K17/567 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 杜静静 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种栅极氧化层烧写电路，所述烧写电路包括高耐压PMOS管HP1、高耐压NMOS管HN1和HN2、低耐压NMOS管LN1和LN2、高压电源VH和低压电源VL，所述高压电源VH连接高耐压PMOS管HP1的漏极，高耐压PMOS管HP1的源极连接高耐压NMOS管HN1的漏极，高耐压NMOS管HN1的漏极接地，低耐压NMOS管LN1和LN2之间连接高耐压NMOS管HN2；该技术方案既可以在芯片封装后进行，使得封装对芯片的影响可以得到修正。同时利用本专利方法设计的电路，其芯片面积可以做的非常小，生产成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 氧化 层烧写 电路 以及 方法 | ||
【主权项】：
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