[发明专利]一种生长高密度铟镓氮量子点的方法有效
| 申请号： | 202011393691.8 | 申请日： | 2020-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN112530791B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 汪莱;王磊;余鹿鸣;郝智彪;罗毅 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 罗文群 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明属于半导体材料与器件技术领域，尤其涉及一种生长高密度铟镓氮量子点的方法。本方法采用半导体外延生长方法，在衬底上生长GaN薄膜，将产品置于反应腔室中，通入由金属铟和金属镓组成的反应源，再通入五族氮源，重复多次后在GaN薄膜表面形成致密的InGaN量子点，得到下层量子点形貌层，再通入金属源和氮源，在下层量子点形貌层上形成高密度铟镓氮量子点。本发明方法可以生长密度高达3×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 生长 高密度 铟镓氮 量子 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
