[发明专利]eflash器件的控制栅刻蚀方法

摘要

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种eflash器件的控制栅刻蚀方法。包括：提供一eflash器件的存储区结构，存储区结构由下至上依次层叠的栅介质层、多晶硅浮栅、多晶硅间介质层、多晶硅控制栅和掩模层；在掩模层上开设刻蚀窗口；在刻蚀窗口的周壁上形成侧墙，通过侧墙定义出控制栅刻蚀图案；根据控制栅刻蚀图案进行干法刻蚀，刻蚀去除控制栅刻蚀图案位置处的多晶硅控制栅，使得刻蚀停止面位于多晶硅间介质层中；根据控制栅刻蚀图案进行湿法刻蚀，刻蚀去除在栅刻蚀图案位置处，剩余的多晶硅间介质层；使得多晶硅控制栅的刻蚀周面光滑。本申请可以解决相关技术中控制栅的顶端出现尖角，从而对产品的良率产生不利影响的问题。