[发明专利]半导体元件在审
| 申请号： | 202011309834.2 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN113540079A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 蔡维欣;杨荣展;陈庭榆;田丽钧 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体元件包括以第一鳍片至鳍片间距配置的第一组半导体鳍片和以第二鳍片至鳍片间距配置的第二组半导体鳍片。第一组半导体鳍片和第二组半导体鳍片被无鳍片区域分开，此无鳍片区域大于第一鳍片至鳍片间距和第二鳍片至鳍片间距。半导体元件还包括在第一组半导体鳍片和第二组半导体鳍片上延伸的栅极结构、在栅极结构上延伸的Vdd线和Vss线。从上视图来看，第一组半导体鳍片和第二组半导体鳍片在Vdd线和Vss线之间，并且从上视图看，Vdd线和第一组半导体鳍片之间的重叠面积不同于Vss线和第二组半导体鳍片之间的重叠面积。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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