[发明专利]后端结构的形成方法有效
| 申请号： | 202011292924.5 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN112420602B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 张超逸;梁金娥;卢光远 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种后端结构的形成方法，包括：在介质层上形成反射阻挡层，介质层形成于第一金属层上，第一金属层形成于衬底上，反射阻挡层的反射率低于第一金属层的反射率；对目标区域进行刻蚀，形成通孔，通孔底端的第一金属层暴露；在反射阻挡层和通孔的表面形成阻挡层；在阻挡层上形成第二金属层，第二金属层填充通孔；通过CMP工艺进行平坦化处理，去除通孔所在区域以外的其它区域的反射阻挡层、阻挡层和第二金属层，通孔内剩余的的阻挡层和第二金属层形成金属连线。本申请通过在介质层上形成反射阻挡层，通过该反射阻挡层阻挡终端探测器穿透介质层照射到前层金属层上的光，降低了前层金属层的反射光对设备控制端的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 后端 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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