[发明专利]一种P型钝化接触太阳能电池的制作方法

摘要

本发明涉及一种P型钝化接触太阳能电池的制作方法；其特征在于：包括以下步骤：表面织构步骤，高温扩散步骤，刻蚀及抛光步骤，背面薄膜制备步骤，正面去除介质步骤，正面二氧化硅制备步骤，正背面制备步骤，正背面制备步骤具体包括：正面氮化硅制备步骤，采用原子层沉积设备在P型硅片的正面制备氮化硅层；背面氮化硅制备步骤，采用原子层沉积设备在P型硅片的背面制备氮化硅层；电极制备步骤，通过丝网印刷机分别制备正面电极和背面电极，收集电流，经过烧结后得到成品。解决了现有方案造成的产生严重的寄生吸收效应，不能充分利用太阳光中的短波波段，导致光生电流降低，限制电池光电转换的效率等问题。