[发明专利]一种氧化铪薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202011206543.0 | 申请日： | 2020-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN114438458A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 刘畅;刘晓阳 | 申请（专利权）人： | 北京首量科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/32;C23C14/02;C23C14/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 101111 北京市通州区中关村*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种利用三级低压反应离子镀方法制备氧化铪薄膜的方法，包括：待镀工件准备、待镀工件离子清洗活化步骤、镀膜步骤，并使用了一种三极低压反应离子镀设备，其中包含工件台及夹具、蒸发坩埚、脉冲直流电源、钨丝及直流电源、进气口；克服了传统电子束蒸发工艺镀制氧化铪薄膜的时候出现的膜料喷溅问题，降低了氧化铪薄膜沉积时可能出现的节瘤缺陷概率，提升了薄膜的激光损伤阈值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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