[发明专利]一种氧化铪薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种氧化铪薄膜的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

一、待镀工件准备

将待镀工件先后置于丙酮、异丙醇溶液中，分别进行超声波清洗10分钟后用干燥氩气吹干，以去除所述待镀工件表面附着油污、杂质等；

二、待镀工件离子清洗活化

(1)将所述处理后的待镀工件置于真空室内旋转基体台上固定，将所述真空室腔体抽真空至2×10^-3Pa后通入氧气，并使真空室的压强维持在3Pa；

(2)将工件台偏压装置打开，对所述待镀件施加中频脉冲直流负偏压500V脉冲为10分钟，以电离氧气产生O⁺离子轰击清洗所述待沉积工件表面；

三、镀膜过程

(1)维持真空腔体内真空度在2×10^-3Pa，将坩埚上层挡板关闭，对金属铪膜料进行预熔，直至颗粒状的金属铪熔化成液态；

(2)对真空室内进行充氧，使真空室真空度维持在1×10^-2Pa，打开坩埚上层挡板，将施加在坩埚上的脉冲负偏压调整至100V，打开电子枪，将电压调整至8kV，电流为0.2A，调整照射在铪表面的电子束光斑尺寸，对熔融状态的铪进行蒸发，蒸发的铪蒸气与氧气离化形成混合等离子体，上升后沉积到工件表面，形成氧化铪膜层；

(3)将工件台上的脉冲负偏压维持在50V，利用电场作用吸引带电粒子对工件进行轰击，使得氧化铪膜层结构更加致密。

2.根据权利要求1所述的氧化铪薄膜的制备方法，其特征在于：所述氧气的纯度为99.9％。

3.一种氧化铪薄膜的制备方法，其特征在于，使用了一种三极低压反应离子镀设备，其中包含工件台及夹具、蒸发坩埚、脉冲直流电源、钨丝及直流电源、进气口。