[发明专利]一种EEPROM存储器在审
申请号: | 202011186913.9 | 申请日: | 2020-10-30 |
公开(公告)号: | CN112466370A | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 陈涛;汪齐方;冯国友 | 申请(专利权)人: | 普冉半导体(上海)股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/08 | 分类号: | G11C16/08;G11C16/24;G11C16/28 |
代理公司: | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人: | 张静洁;徐雯琼 |
地址: | 201210 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种EEPROM存储器,包含:由若干个相同的存储单元构成的存储阵列;若干个字线,同行的存储单元连接同一个字线;行选择电路,用于选择字线;若干个位线,一个位线连接同一列的存储单元,不同的位线对应不同列的存储单元;列解码电路以及列选择电路,用于选择位线;若干个页锁存器,用于锁存需要写入存储阵列的字节,不同的页锁存器连接不同的位线;若干个读出灵敏放大器,用于从存储阵列中读出数据;通过所述页锁存器与读出灵敏放大器配合,不需改变存储器结构,使存储器在差分模式和单端模式之间任意切换,在差分模式下能够满足高可靠性存储的要求,在单端模式下能够满足大数量存储的要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 eeprom 存储器 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于普冉半导体(上海)股份有限公司,未经普冉半导体(上海)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011186913.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种仪器仪表用除尘装置
- 下一篇:发光二极管的外延片及其制造方法