[发明专利]一种非易失性存储器的过擦除现象的检测方法在审
| 申请号： | 202011181821.1 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112466375A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 汪齐方;陈涛;冯国友 | 申请（专利权）人： | 普冉半导体（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C7/18;G11C8/08 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 包姝晴;张静洁 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性存储器的过擦除现象的检测方法，包括：步骤S1、对待检测的非易失性存储器进行上电，使得非易失性存储器释放内部配置信息；步骤S2、检测漏电初始化；步骤S3、对所述非易失性存储器的所有全局位线进行漏电检测，若当前被检测的全局位线存在漏电，则进入步骤S4；步骤S4、对当前存在漏电的全局位线中的所有局部位线依次进行漏电检测，若当前被检测的局部位线存在漏电，则进入步骤S5；步骤S5、对当前存在漏电的局部位线进行过擦除修复操作。本发明能够快速检测和/或消除由于误断电引起的过擦除现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非易失性存储器 擦除 现象 检测 方法 | ||
【主权项】：
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