[发明专利]SONOS存储器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种SONOS存储器及其制造方法，其中所述SONOS存储器的制造方法包括：首先，提供一衬底，且所述衬底上形成有控制栅；其次，刻蚀所述控制栅一侧的所述衬底，形成L型沟槽；然后，在所述L型沟槽上形成ONO介质层，所述ONO介质层包括第一氧化层、氮化硅层以及第二氧化层，所述第一氧化层和所述氮化硅层均为L型结构；最后，通过源漏离子注入工艺在所述控制栅和所述ONO介质层两侧的衬底上形成源极及漏极。通过上述方法制得的SONOS存储器具有更高的电荷存储能力、更低的操作电压以及能够降低源漏极被击穿的可能性。