[发明专利]只读式存储单元及其相关的存储单元阵列在审
| 申请号： | 202011154014.0 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN112802523A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 孙文堂 | 申请（专利权）人： | 力旺电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C17/18;H01L27/11521;H01L27/11531;H01L27/11548 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种只读式存储单元的存储单元阵列，包括一第一存储状态存储单元与一第二存储状态存储单元。该第一存储状态存储单元包括：一第一晶体管与一第二晶体管。该第一晶体管连接至一源极线与一字符线。该第二晶体管连接至该第一晶体管与一第一位线。该第二存储状态存储单元包括：一第三晶体管与一第四晶体管。该第三晶体管连接至该源极线与该字符线。该第四晶体管连接至该第三晶体管与一第二位线，该第四晶体管的栅极端连接至该第三晶体管的栅极端。 | ||
| 搜索关键词： | 只读 存储 单元 及其 相关 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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