[发明专利]基于多周期有机异质结超厚传输层的底发射器件在审

专利信息
申请号: 202011151629.8 申请日: 2020-10-26
公开(公告)号: CN112490381A 公开(公告)日: 2021-03-12
发明(设计)人: 马琳;于跃;吴朝新;焦博;徐德飞;周慧鑫;宋江鲁奇 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50
代理公司: 西安志帆知识产权代理事务所(普通合伙) 61258 代理人: 侯峰;韩素兰
地址: 710065 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种基于多周期有机异质结超厚传输层的底发射器件,由衬底、非金属电极、传输层、发光层、注入层、多周期有机异质结超厚传输层、金属电极从下到上依次叠加组成;所述多周期有机异质结超厚传输层,用于充当超厚电子或空穴传输层;单周期有机异质结超厚传输层为n型有机半导体和p型有机半导体构成的双层有机半导体异质结;所述n型有机半导体为HAT‑CN,所述p型有机半导体为三芳胺类材料。本发明能够在降低等离子体模式损耗,提高有机发光二极管发光外量子效率的同时,不会引起在显示、照明等实际应用条件下额外的电压损失,特别利于实现面向显示、照明应用的高功率效率有机发光二极管。
搜索关键词: 基于 周期 有机 异质结超厚 传输 发射 器件
【主权项】:
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