[发明专利]微型发光二极管阵列及其制备方法在审
| 申请号： | 202011145792.3 | 申请日： | 2020-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN112151650A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 毕文刚 | 申请（专利权）人： | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/46;H01L21/78;H01L27/15;H01L33/06 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种微型发光二极管阵列及其制作方法。所述方法包括：支撑衬底；图形化绝缘层，所述图形化绝缘层设置于支撑衬底表面且具有镂空部，所述镂空部的侧壁覆盖光反射层；发光二极管的发光结构，所述发光结构设置在所述镂空部中，并再设置有第一电极和第二电极；以及驱动电路基板，键合设置于所述发光二极管的发光结构的第一和/或第二电极表面，所述发光二极管的发光结构的第一和/或第二电极与驱动电路基板表面对应的电极对准。 | ||
| 搜索关键词： | 微型 发光二极管 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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