[发明专利]集成芯片及其形成方法在审
| 申请号： | 202011103534.9 | 申请日： | 2020-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN112670314A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 邱捷飞;朱文定;才永轩;廖钰文;梅晋瑜;曾柏皓 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一些实施例中，本发明涉及一种集成芯片。集成芯片包括围绕衬底上方的多个下部互连层的下部层间介电(ILD)结构。蚀刻停止材料设置在下部ILD结构上方。底部电极布置在蚀刻停止材料的上表面上方，数据存储结构设置在底部电极的上表面上，并且配置成存储数据状态，并且顶部电极设置在数据存储结构的上表面上。第一互连通孔接触底部电极的上表面，第二互连通孔接触顶部电极。本申请的实施例还提供形成集成芯片的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 芯片 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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