[发明专利]一种碲掺杂锗酸铋晶体材料及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种碲掺杂锗酸铋晶体材料及其制备方法和应用，该材料的分子式为Te4xBi4(1‑x)Ge3O12，其中，x的取值范围为0.005～0.02，x代表Te离子的掺杂浓度，Te离子取代Bi离子格位；所述晶体材料的晶系为立方晶系，空间群为I‑43d，晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝4。本发明的Te4+掺杂的锗酸铋晶体材料，不仅在近红外激光方面有潜在应该用价值，其倍频激光在激光钠导星、生物医学、信息存储、通讯领域、国防军工、大气遥感等方面有着重要应用。其制备方法可以生长长度很长且直径均匀的晶体，生长晶体快速，节约大量时间，生长晶体所用原料较少，降低实验成本。