[发明专利]InGaAs到InP界面生长的气流切换方法在审
| 申请号： | 202011097360.X | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN112233966A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 周勇;赵红;吴唯;刘尚军 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/0304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 | 代理人： | 李启林 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种InGaAs到InP界面生长的气流切换方法，先在高温低压下消除InP衬底的表面杂质；然后生长InP缓冲层；再生长InGaAs外延层；之后先关闭TMIn源和TMGa源，保持一段时间后再关闭AsH3源，然后先提前打开PH3源，过一段时间再打开TMIn源，在InGaAs外延层上生长InP。本发明结合了传统的H2中断和V族源中断的优势，通过延迟关闭AsH3源，以及提前打开PH3源，能够扩大InGaAs到InP界面生长切换的最佳工艺参数的窗口，稳定重复地获得陡峭、无夹层的InGaAs/InP界面，使工艺的重复性得到大幅改善，从而提高制备InGaAs光电子器件的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | ingaas inp 界面 生长 气流 切换 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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