[发明专利]基于自对准双重图形的产品良率在线评估系统及评估方法有效
| 申请号： | 202011094785.5 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN112309883B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 孙天拓;任佳;高杏 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 栾美洁 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于自对准双重图形的产品良率在线评估方法，包括：自对准双重图形刻蚀完成后，从晶圆的每个shot的相同位置的芯片的阵列区的最边缘的区域中选定相邻N条线路和/或相邻N条间隙，测量被选中的线路和/或间隙的关键尺寸；将每个shot中被测量的线路和间隙分别分成M组，每组线路中的两条线路及每组间隙中的两条间隙均相邻；计算每个shot中各组线路的相邻线路关键尺寸差值及各组间隙的相邻间隙关键尺寸差值；将每个shot的相邻线路关键尺寸差值和相邻间隙关键尺寸差值分别与规格限、控制限对比；统计得到晶圆的线路规格限良率/控制限良率、间隙规格限良率/控制限良率。本发明通过在线量测SADP关键尺寸并统计分析提前评估产品的最终良率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 对准 双重 图形 产品 在线 评估 系统 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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