[发明专利]一种基于金属氧化物TFT的运算放大器、芯片及方法有效

专利信息
申请号: 202011089541.8 申请日: 2020-10-13
公开(公告)号: CN112436811B 公开(公告)日: 2021-06-08
发明(设计)人: 陈荣盛;文明珠;徐煜明;李辉 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H03F3/04 分类号: H03F3/04;H03F1/02;H03F1/38
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 常柯阳
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种基于金属氧化物TFT的运算放大器、芯片及方法,其中运算放大器包括辅助放大器和自举增益提高放大器,辅助放大器采用两级正反馈结构,包括第五晶体管、第七晶体管、第十一晶体管、第一放大单元和第二放大单元,所述第五晶体管的栅极作为运算放大器的输入端,自举增益提高放大器包括两个相互对称的第二电路,所述第二电路包括第一晶体管、第二晶体管和自举结构的电流源单元。本发明利用自举增益提高技术,实现了高增益与稳定相位裕度的薄膜晶体管运算放大器电路;另外,辅助放大器采用两种正反馈结构,进一步提高了电压增益,可广泛应用于集成电路设计技术领域。
搜索关键词: 一种 基于 金属 氧化物 tft 运算放大器 芯片 方法
【主权项】:
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