[发明专利]用于垂直场效应晶体管的对称二维鳍结构和制造其的方法在审
| 申请号： | 202011072807.8 | 申请日： | 2020-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN112652537A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 金善培;宋昇炫;郑荣采 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明构思提供了一种制造垂直场效应晶体管(VFET)的鳍结构的方法和通过该方法制造的鳍结构。所述方法包括：(a)图案化下层和沉积在下层上的上层，以形成分别在彼此垂直的两个方向上延伸的两个图案；(b)沿着下层和上层的通过图案化暴露的侧壁在所述两个图案中并排地形成第一间隔物和第二间隔物；(c)去除在下层的顶表面的水平之上的第一间隔物、第二间隔物和上层、以及在下层的顶表面的水平之下并在俯视图中通过所述两个图案暴露的第一间隔物；(d)去除在操作(c)之后保留在衬底上的下层、上层和第二间隔物；以及(e)除了衬底的位于在操作(d)之后保留在衬底上的第一间隔物之下的部分以外，向下蚀刻衬底，并去除保留的第一间隔物，从而获得鳍结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 垂直 场效应 晶体管 对称 二维 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
