[发明专利]一种渐变超结终端及其制造方法在审
| 申请号： | 202011034134.7 | 申请日： | 2020-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112103188A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 赵家宽;黄传伟;夏华忠;谈益民;吕文生 | 申请（专利权）人： | 江苏东海半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广东有知猫知识产权代理有限公司 44681 | 代理人： | 闫日旭 |
| 地址： | 214142 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率器件技术领域，具体涉及一种渐变超结终端及其制造方法，旨在解决现有技术中常规超结终端在耗尽的情况下具有较小的曲率半径，容易造成电场的集中所形成的问题，其技术要点在于：所述渐变超结终端制造方法包含以下步骤：在晶圆衬底表面重复进行沉积阻挡层，然后运用P pillar光刻版打开需要刻蚀的区域，并注入Boron离子，再次外延，在终端和元胞区形成P pillar图形，所述P pillar图形以所述晶圆衬底的中线分为两部分，一部分沿所述晶圆衬底的中线向所述晶圆衬底边缘逐渐减小设置。通过渐变的超结终端结构，从而增大了耗尽边界的曲率半径，减小了电场集中效应，从而增强了器件的长期可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 渐变 终端 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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