[发明专利]制造电子装置的方法在审
| 申请号： | 202011014099.2 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112582448A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 陆瑾宇;金茂显;具本周;郑泰铉 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;B23K26/00 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;刘铮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请涉及制造电子装置的方法。该制造电子装置的方法，包括：提供工作衬底，工作衬底包括预设置模块和保护膜，预设置模块包括具有孔形成区域的有效区域，保护膜覆盖预设置模块的上表面和后表面中的至少一个；从第一起始点朝向移动路径向工作衬底辐射激光束，并且去除工作衬底的至少一部分以在孔形成区域中形成第一起始切割线，激光束的移动路径限定为孔形成区域与有效区域之间的边界；沿着移动路径辐射激光束；以及从预设置模块去除孔形成区域以形成模块孔，其中，第一起始切割线相对于移动路径的切线形成预定的角度。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 电子 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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