[发明专利]近场光学光刻机在审

专利信息
申请号: 202010963965.6 申请日: 2020-09-15
公开(公告)号: CN111913371A 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: 杨国超 申请(专利权)人: 北京国视神州文化传媒有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 102488 北京市房山*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 一种近场光学光刻机是利用近场光学原理设计的新型光刻机,解决了传统光刻机受到光波长和衍射限制,难以达到更高的线宽精度的问题。该光刻机由掩膜版与硅片贴合曝光系统,平台系统,硅片送料系统,硅片出料系统,减震系统,电源供电系统,控制系统,硅片出料仓,硅片进料仓等部分组成。工作机制是将掩膜版和硅片严密贴合到一起形成近场光学效应,曝光涂有感光胶的硅片,硅片感光后将掩膜版的图案刻制到硅片等半导体材料上,以达到制作半导体芯片的目的,利用近场光学原理的近场光学光刻机的加工精度可以达到纳米级。
搜索关键词: 近场 光学 光刻
【主权项】:
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