[发明专利]一种Cu2在审

专利信息
申请号: 202010932073.X 申请日: 2020-09-08
公开(公告)号: CN112038477A 公开(公告)日: 2020-12-04
发明(设计)人: 陈贝 申请(专利权)人: 陈贝
主分类号: H01L35/34 分类号: H01L35/34;H01L35/16;C01G55/00;C01G19/00;C01B32/168
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 311400 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明属于热电转化技术领域,具体涉及一种Cu2ZnSnS4‑RuO2/SWCNT复合热电薄膜及其制备方法。该制备方法的步骤包括:RuCl3为原料采用水热法制得纳米RuO2,然后将RuO2、单壁碳纳米管加入溶剂中,以CuCl2·2H2O、乙酸锌、SnCl2·2H2O和L‑半胱氨酸为为原料制备Cu2ZnSnS4得到复合材料,随后用复合材料制得涂膜液并涂抹在玻璃衬底上干燥得到Cu2ZnSnS4‑RuO2/SWCNT复合热电薄膜。本发明所述复合热电薄膜导电率高,热电性能好。
搜索关键词: 一种 cu base sub
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陈贝,未经陈贝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010932073.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种用于半导体制冷片的半导体粒子贴合装置-202211187450.7
  • 李静婷;李万喜;章日华;尹勇军;刘素芬;夏未强;钟锦新 - 深圳市华科芯微半导体技术有限公司
  • 2022-09-27 - 2022-12-27 - H01L35/34
  • 本发明公开一种用于半导体制冷片的半导体粒子贴合装置,该装置包括:装置本体;涂胶装置,涂胶装置包括涂胶件,涂胶装置设置于装置本体上,涂胶件用以将锡膏涂覆于基片上;粒子安装组件,粒子安装组件设置于装置本体上,粒子安装组件包括P粒子安装组件和N粒子安装组件,P粒子安装组件与N粒子安装组件用以将P粒子或N粒子安装于基片上;移动平台,移动平台能够将基片移动至P粒子安装组件或N粒子安装组件;出料装置,出料装置设置于装置本体上远离于涂胶装置的一侧,出料装置用以将半导体制冷片进行出料。本发明采用将基片在一台机器上进行涂覆锡膏以及安装半导体粒子,使之成为半导体制冷片,节省人力,提高工作效率。
  • 一种酸碱处理提升乙醇凝胶成膜法制备的PEDOT:PSS薄膜热电性能的方法-202211275340.6
  • 王元元;鲍程鹏;谢华清;吴子华;董岚;李奕怀 - 上海第二工业大学
  • 2022-10-18 - 2022-12-20 - H01L35/34
  • 本发明涉及一种酸碱处理提升乙醇凝胶成膜法制备的PEDOT:PSS薄膜热电性能的方法,该方法包括的步骤如下:步骤一、在无水乙醇中缓慢匀速滴入PEDOT:PSS水溶液,经过凝胶成膜形成PEDOT:PSS薄膜;步骤二、将步骤一得到的PEDOT:PSS薄膜在100℃‑130℃加热板上干燥;步骤三、将步骤二中干燥完成的薄膜浸入5ml‑10mlH2SO4溶液中10min‑20min;步骤四、用去离子水将步骤三中的薄膜冲洗,去除残留的H2SO4溶液;步骤五、将步骤四所得的薄膜浸入5ml‑10mlKOH溶液10min‑20min;步骤六、用去离子水将步骤五中薄膜冲洗3‑5遍;步骤七、在加热板上干燥后得到PEDOT:PSS薄膜。本发明采用乙醇凝胶成膜的方法,在成膜过程中已经改善了其热电性能,再加上进一步的酸碱处理,得到较高热电性能的PEDOT:PSS薄膜。
  • 一种制备微型热电器件的模具及方法-202110671418.5
  • 姜鹏;陈昀;包信和 - 中国科学院大连化学物理研究所
  • 2021-06-17 - 2022-12-20 - H01L35/34
  • 本发明提供一种制备微型热电器件的模具及方法,具体步骤为:上、下陶瓷板分别贴合到上、下陶瓷板定位模板凹槽内,并在上、下陶瓷板电极上覆上焊接材料,在下陶瓷板上方布置交叉式热电臂定位模具,在交叉式热电臂定位模具所形成定位孔中依次排放p、n型热电臂,将上陶瓷板连合上陶瓷板定位模板盖到p、n型热电臂上,夹紧后撤出交叉式定位模具,随后焊接,焊接完成后去除上、下陶瓷板定位模板,完成微型器件制备。本发明交叉式热电臂定位模具,在焊接前撤出模具,避免模具在焊接中的影响,避免刚性方孔模具脱模对焊点的破坏,同时微型器件一次性焊接完成,避免二次焊接对器件的损害。
  • 柔性复合热电薄膜及其制备方法和应用-202011551864.4
  • 何佳清;逯瑶;黄亦;林培坚;周毅;徐啸 - 深圳热电新能源科技有限公司
  • 2020-12-24 - 2022-12-20 - H01L35/34
  • 本发明公开了一种柔性复合热电薄膜及其制备方法和应用,其中,该方法包括:将表面活性剂和铜盐与多元醇混合加热,即得到混合溶液;将银源与混合溶液混合进行反应,即得到含有银纳米线的溶液;将含有银纳米线的溶液进行固液分离和清洗,即得到银纳米线;将碲源、硒源和硫源中的至少之一与银纳米线、多元醇和还原剂混合进行反应,即得到含有银基硫族化合物纳米线的溶液;将含有银基硫族化合物纳米线的溶液进行固液分离和清洗,即得到银基硫族化合物纳米线;将银基硫族化合物纳米线制成薄膜后热压处理,即得到柔性复合热电薄膜。该方法简单温和,高效节能,生产率高,可大批量生产,且通过该方法制备的柔性复合热电薄膜具有优异的热电性能和柔性。
  • 一种柔性N型尼龙基硒化银热电薄膜的制备方法-202210977209.8
  • 高杰;李佳慧;苗蕾;刘呈燕;彭英;贾立达 - 桂林电子科技大学
  • 2022-08-15 - 2022-12-16 - H01L35/34
  • 本发明公开了一种柔性N型尼龙基硒化银热电薄膜的制备方法,先通过溶剂热法合成硒化银颗粒然后在乙二醇中均匀分散,之后均匀滴涂在玻璃纤维滤膜上,再经过放电等离子体烧结(SPS)处理,得到均匀致密的柔性尼龙基硒化银薄膜。本发明制备得到的薄膜热电性能较为优异,所采用的放电等离子体烧结(SPS)工艺可对薄膜微观形貌及载流子传输特性进行调控,降低了薄膜中的银含量,形成有序纤维结构,从而降低了载流子浓度并提高了载流子迁移率,使得Seebeck系数和电导率同时增强,该方法工艺简单,制备周期短,安全无污染,得到的薄膜热电性能优异,柔性良好。
  • 一种微型半导体致冷晶粒贴装装置-202222145541.6
  • 蔡植善;王朝阳;吴伟斌 - 泉州师范学院
  • 2022-08-16 - 2022-12-16 - H01L35/34
  • 本实用新型涉及半导体致冷器生产技术,具体涉及一种微型半导体致冷晶粒贴装装置,包括机台,所述机台上横向设置有Y0轴模组,所述Y0轴模组的滑座上竖向安装有Z轴模组,所述Z轴模组的滑座上安装有晶粒的吸放组件及位于吸放组件侧面的识别定位相机组件,所述机台上设置有位于吸放组件下方的晶粒方位调整相机机构,位于晶粒方位调整相机机构的两侧设置有晶粒载具模组和导流片载具模组。该装置有助于在保证微型半导体致冷晶粒的摆模、贴装精度的基础上,提高了晶粒贴装速度。
  • 一种柔性Ag2-202110457980.8
  • 杜永;王建军;孟秋风 - 上海应用技术大学
  • 2021-04-27 - 2022-12-09 - H01L35/34
  • 本发明公开了一种柔性Ag2S/甲基纤维素复合热电薄膜的制备方法:将Na2S·9H2O加入去离子水中,搅拌,然后加入AgNO3,接着进行离心,所得沉淀物洗涤,重复离心、洗涤步骤三次后,倒掉上层清液后进行干燥,得到Ag2S粉末;将甲基纤维素溶解,加入Ag2S粉末,搅拌制备Ag2S/甲基纤维素复合浆料;利用丝网印刷技术将Ag2S/甲基纤维素复合浆料印刷在柔性基底上,经干燥后制备出Ag2S/甲基纤维素复合热电薄膜;将印刷好的Ag2S/甲基纤维素复合热电薄膜退火处理,形成柔性Ag2S/甲基纤维素复合热电薄膜。所制备的柔性Ag2S/MC复合薄膜的热电性能优异,在热电发电和制冷器件领域具有广阔的应用前景。
  • 一种GaN基热敏器件及其制备方法-201910863126.4
  • 仇志军;叶怀宇;张国旗 - 深圳第三代半导体研究院
  • 2019-09-12 - 2022-12-09 - H01L35/34
  • 本发明公开了一种GaN基热敏器件及其制备方法,包括:1)衬底上依次沉积GaN缓冲层和GaN高阻层;2)GaN高阻层上沉积n型掺杂GaN层;3)n型掺杂GaN层沉积SiO2介质层;4)刻蚀n型GaN层端部形成源极和漏极孔并沉积源电极和漏电极;5)SiO2介质层上沉积热释电材料;6)刻蚀热释电材料,沉积形成栅电极。本发明的GaN器件具有高电子迁移率、高导热率、高结温、高耐压等特点,具有很强的温度稳定性,适宜于电力环境应用;其次,热释电敏感材料本身无辐射,故无需制冷系统,可以工作在室温及其以上温度,器件功耗低;此外,该器件还具有探测光谱宽、工作频率广、灵敏度高且与波长无关、探测角度大等优点。
  • 一种石墨掺杂的GeS2热电材料的制备方法-202011457393.0
  • 宋吉明;胡泽青 - 安徽大学
  • 2020-12-13 - 2022-12-02 - H01L35/34
  • 本发明公开了一种石墨掺杂的GeS2热电材料的制备方法,属于能源转换技术领域。采用固相反应法结合高频炉热压烧结工艺制备。以GeS2和石墨(简写为G)为原料,化学式GxGeS2,其中x为石墨在GeS2中的浓度,且0x0.5。首先按质量比称取适量的石墨和GeS2,研磨充分,采用固相反应法合成GxGeS2前驱体粉末,然后再将其放在合适的压力和温度下进行热压烧结获得GxGeS2块体热电材料。本发明制备的GxGeS2热电材料的电导率为1360−34852 S/m,热导率为0.87−2.0 W/mK。
  • 热电堆传感器的制作方法-202010615313.3
  • 黄河 - 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司
  • 2020-06-30 - 2022-12-02 - H01L35/34
  • 一种热电堆传感器的制作方法,包括:提供热电堆结构板和基板,热电堆结构板形成有热电堆结构;在热电堆结构板上形成第一互连层,第一互连层中至少形成有电连接热电堆结构的第一导电互连结构;在所述基板上形成支撑结构,所述支撑结构中形成有牺牲结构,所述支撑结构的顶面露出所述牺牲结构;将所述热电堆结构板键合在所述支撑结构上,使所述第一互连层位于所述热电堆结构的下方,且在键合后,所述热电堆结构设置在所述牺牲结构的上方;在键合后,去除牺牲结构,形成第一空腔。本发明在简化工艺流程、降低工艺成本的同时,提高热电堆传感器的测量精度。
  • 一种增强环形量子点结构中自旋热电势的方法-201910343318.2
  • 迟锋;易子川;刘黎明 - 电子科技大学中山学院
  • 2019-04-25 - 2022-11-29 - H01L35/34
  • 本发明公开了一种增强环形量子点结构中自旋热电势的方法,该方法通过将三个半导体量子点耦合成环形结构,并对与量子点连接的两侧电极施加热辐射,让环形量子点结构中存在温度梯度;如果在连接量子点的隧道结上施加磁场,则量子点之间的耦合强度可以变得和自旋自由度有关,从而不同自旋方向的电子流经量子点结构时,会发生不同的干涉效应,使得自旋向上和自旋向下热电势的尖峰在量子点能量空间分开,从而获得纯热电势;通过调整结构参数,可以让环形量子点结构的自旋热电势进一步增强,为设计快速响应、高效低能耗和灵敏温度探测提供基础;优于传统的电荷热电势,突破了热电效率低下的限制,且适用于自旋过滤装置或热电转换领域。
  • 一种方便快捷的制冷片排列装置-202220213038.7
  • 钟水民;赖新建;欧阳琦 - 浙江精瓷半导体有限责任公司
  • 2022-01-26 - 2022-11-29 - H01L35/34
  • 本实用新型公开了一种方便快捷的制冷片排列装置,涉及制冷片加工技术领域。该方便快捷的制冷片排列装置,包括设备机台和安装在设备机台顶端表面的两根支撑柱,两根所述支撑柱的顶端表面共同安装有安装平板,所述安装平板的底端表面开设有移动长槽,所述移动长槽的内壁活动安装有移动机构,所述移动机构的底端表面安装有限位机构。本实用新型中激振电机为整列盘能够实现不同的运动形式提供激振力,整列盘的上表面分布有盲孔,盲孔的形状和分布位置由颗粒的形状和排列要求确定,随着整列盘的抖动,散乱分布在整列盘中的颗粒随整列盘一起运动并逐渐落入盲孔里,使颗粒整齐排列在整列盘的盲孔里。
  • 一种柔性PVA/PEDOT:PSS复合热电薄膜的制备方法-202210924662.2
  • 杜永;秦杰;柯勤飞 - 上海应用技术大学
  • 2022-08-02 - 2022-11-25 - H01L35/34
  • 本发明涉及一种热电材料,具体涉及一种柔性PVA/PEDOT:PSS复合热电薄膜的制备方法,包括如下步骤:S1:将PVA加入至PEDOT:PSS溶液中,搅拌并加热,随后自然冷却得到混合溶液;S2:通过丝网印刷技术将混合溶液印刷于基底上,干燥后得到柔性复合热电薄膜粗成品;S3:水浴处理:将粗成品浸入去离子水中并加热,随后经去离子水洗涤和干燥后得到经水浴处理的柔性复合热电薄膜;S4:DMSO后处理:将经水浴处理的复合热电薄膜置于DMSO中浸泡,随后经去离子水洗涤和干燥后得到柔性PVA/PEDOT:PSS复合热电薄膜。与现有技术相比,本发明在保持复合薄膜柔韧性的同时,进一步提高薄膜的热电性能。
  • 一种Ga-Ti掺杂ZnO块体热电材料的制备方法-202011061240.4
  • 杨卿;牛瑞;张小红;孙少东;邹军涛;梁淑华 - 西安理工大学
  • 2020-09-30 - 2022-11-25 - H01L35/34
  • 本发明公开了一种Ga‑Ti掺杂ZnO块体热电材料的制备方法,具体步骤如下:首先按配比称量ZnO、Ga2O3、TiO2粉末,并进行球磨,得到混合粉末;混合粉末过筛后,将所得粉末等静压成型;最后将成型的坯体进行固相烧结,烧结后随炉冷却得到Ga‑Ti掺杂ZnO块体热电材料。本发明工艺易于操作,制备的热电材料致密度高,并满足器件应用中对材料功率因子的要求,为掺杂ZnO热电材料的制备提供了一种简便高效的方法。
  • 一种SnS/C-PEDOT:PSS柔性热电薄膜及制备方法-202111095496.1
  • 张荔;刘祎;杨艳玲;侯小江;冯雷;叶晓慧;锁国权 - 陕西科技大学
  • 2021-09-17 - 2022-11-22 - H01L35/34
  • 本发明提供一种SnS/C‑PEDOT:PSS柔性热电薄膜及制备方法,所述方法包括步骤1,以SnCl2·2H2O为锡源,PVP为粘结剂,通过静电纺丝工艺制备SnCl2/PVP纳米纤维,之后将SnCl2/PVP纳米纤维依次进行预氧化和硫化;步骤2,将得到的SnS/PVP纳米纤维在500‑800℃下碳化,之后研磨成颗粒,得到SnS/C纳米纤维粉末;步骤3,将SnS/C纳米纤维粉末超声分散在有机溶剂中,之后加入PEDOT:PSS水溶液,得到质量分数为5%‑10%的SnS/C纳米纤维分散液;步骤4,将SnS/C纳米纤维分散液进行真空抽滤,得到SnS/C‑PEDOT:PSS柔性热电薄膜。
  • 热电转换装置及其制造方法-201780032769.3
  • 乡古伦央;谷口敏尚;坂井田敦资;冈本圭司;白石芳彦;浅野正裕 - 株式会社电装;丰田自动车株式会社
  • 2017-05-25 - 2022-11-22 - H01L35/34
  • 本发明涉及热电转换装置及其制造方法。该热电转换装置(10)的制造方法在第一绝缘体(11)的第一导通孔(101)中填充第一导电性浆料(131)。在第二绝缘体(12)的第三导通孔(103)中填充第二导电性浆料(141)。接下来,使第一导电性浆料从第一绝缘体的第一导通孔突出的部分穿通第二绝缘体的第四导通孔(104)。使第二导电性浆料从第二绝缘体的第三导通孔突出的部分穿通第二导通孔(102)。接下来,依次配置具有背面布线图案(121)的背面保护部件(120)、第二绝缘体、第一绝缘体、具有表面布线图案(111)的表面保护部件(110),从而形成层叠体。接下来,将该层叠体在层叠方向上进行加压、加热。
  • 一种高热电性能和高空气稳定性PEDOT:PSS柔性热电薄膜及其制备方法和应用-202210974810.1
  • 张荔;刘星宇;张菁;董含笑;马程;杨艳玲;锁国权;叶晓慧 - 陕西科技大学
  • 2022-08-15 - 2022-11-18 - H01L35/34
  • 本发明公开了一种高热电性能和高空气稳定性PEDOT:PSS柔性热电薄膜及其制备方法和应用,一种制备方法是在基底上形成PEDOT:PSS薄膜,用具有还原性的溶液处理薄膜,进一步用浓硫酸处理;另一种制备方法是在基底上形成PEDOT:PSS薄膜,用极性溶剂处理薄膜,进一步用具有还原性的溶液处理,然后使用浓硫酸处理。极性溶剂具有高极性和高介电常数,处理薄膜时在PEDOT:PSS中引入屏蔽效应去除了绝缘的PSS,从而提高电导率;用具有还原性的溶液处理PEDOT:PSS薄膜,可以降低薄膜中PEDOT的氧化水平,提升薄膜的塞贝克系数;使用浓硫酸处理,由于浓硫酸的氧化作用,导致薄膜中双极化态PEDOT比例增大,薄膜的电导率显著提升,薄膜中PEDOT处于氧化/还原平衡状态,将薄膜裸露在空气中,其热电性能基本保持不变。
  • 一种激光辐照PbS量子点嵌入SnSe热电材料及其制备方法和应用-202110802957.8
  • 杨艳玲;薛帆;侯小江;锁国权;冯雷;叶晓慧;张荔;和茹梅;刘佳隽 - 陕西科技大学
  • 2021-07-15 - 2022-11-15 - H01L35/34
  • 本发明公开了一种激光辐照PbS量子点嵌入SnSe热电材料及其制备方法和应用,属于热电材料与器件技术领域。所述制备方法包括:将PbS均匀分散于溶剂中得到溶液A,将溶液A在超声中通过非聚焦激光器辐照处理得到溶液B;将SnCl2·2H2O均匀分散于溶剂中得到溶液C,将NaSeO3均匀分散于溶液C中得到溶液D;将溶液B和溶液D混合均匀得到溶液E,将NaOH均匀分散于溶液E中后进行溶剂热反应,将所得产物体系经清洗后干燥得到固体产物;将固体产物通过放电等离子烧结压制处理,制得激光辐照PbS量子点嵌入SnSe热电材料。制得的激光辐照PbS量子点嵌入SnSe热电材料提高了电导率和塞贝克系数,能够应用于制备深空航天器超长寿命电源或用于制备自供电无限传感器等应用场合。
  • 一种S掺杂SnSe/CNTs复合柔性薄膜及其制备方法-202110802962.9
  • 杨艳玲;薛帆;侯小江;锁国权;冯雷;叶晓慧;张荔;和茹梅;刘佳隽;丁文婷 - 陕西科技大学
  • 2021-07-15 - 2022-11-15 - H01L35/34
  • 本发明公开了一种S掺杂SnSe/CNTs复合柔性薄膜及其制备方法,属于纳米能源热电材料技术领域。所述制备方法包括:将Na2SeO3和SnCl2·2H2O溶解于溶剂A中得到溶液A,将单质S溶解于溶液A中,得到溶液B,将CNTs超声分散在溶液B中,得到溶液C;将溶液C进行溶剂热反应得到产物体系,将产物体系经过离心清洗后干燥制得干燥的产物D;将干燥的产物D超声分散于溶剂B中后进行真空抽滤得到薄膜E,干燥后得到S掺杂SnSe/CNTs复合柔性薄膜,所得S掺杂SnSe/CNTs复合柔性薄膜为SnSe1‑xSx/CNTs复合柔性薄膜,0<x≤0.05。采用上述制备方法制得的S掺杂SnSe/CNTs复合柔性薄膜,在保持复合薄膜柔韧性的同时提高了电导率。
  • 一种低热导率热电器件及其制备方法-201910712385.7
  • 郭慧;吴朝军;张鹏;黄红岩;张凡;李文静;杨洁颖;张昊 - 航天特种材料及工艺技术研究所
  • 2019-08-02 - 2022-11-11 - H01L35/34
  • 本发明涉及一种低热导率热电器件及其制备方法。所述制备方法为:(1)在单层陶瓷基底上焊接多对热电臂,得到热电器件;所述热电臂由N‑P半导体材料制成,所述热电臂的长度为1~2mm,宽度为1~2mm,并且高度为1~7mm;(2)将步骤(1)得到的热电器件与二氧化硅气凝胶前驱体溶液进行原位复合,然后依次经过溶胶凝胶、溶剂置换和干燥的步骤,制得低热导率热电器件;所述低热导率热电器件包括所述热电器件和复合在每相邻的两对所述热电臂之间形成的间隙中的二氧化硅气凝胶。本发明方法制得的低热导率热电器件能量转换效率高,相比未改性前的热电器件,转换效率可提高5%以上。
  • 治具-202221289147.3
  • 何文亮;徐强 - 比亚迪股份有限公司;深圳比亚迪汽车实业有限公司
  • 2022-05-26 - 2022-11-11 - H01L35/34
  • 本实用新型公开了一种治具,包括:底座和盖板,所述底座的一侧表面上具有至少一个底座区域,所述底座区域上形成有多个容纳槽;所述盖板可分离地设在所述底座的所述一侧,所述盖板上形成有至少一个开口,所述开口与所述底座区域相对。根据本实用新型的治具,可以用于制作半导体热电基板,该治具适用性强,半导体热电基板的生产效率高。
  • 一种基于铜辅助挤出成形的p型碲化铋基超细晶热电材料的制备方法-202210837601.2
  • 胡晓明;韩学武;胡浩;樊希安 - 湖北赛格瑞新能源科技有限公司
  • 2022-07-15 - 2022-11-04 - H01L35/34
  • 本发明属于碲化铋基热电材料技术领域,特别是一种基于铜辅助挤出成形的p型碲化铋基超细晶热电材料的制备方法。本发明提供了一种通过铜掩体辅助挤出成形技术制备p型碲化铋基超细晶热电材料的方法,利用高强度高延展性铜掩体为材料施加轴向约束,有效避免高速大形变热挤压过程碲化铋脆性开裂,缓解热挤压过程的不均匀变形,同时充分累计形变能诱导再结晶细化晶粒,晶粒在定向变形的方向产生择尤取向,能提高载流子迁移率,碲化铋材料在约束下变形,可诱导孪生并产生共格孪晶界,从而同时大幅强化p型碲化铋基热电材料的力学和热电性能。
  • 一种硒化银/单壁碳纳米管柔性复合薄膜及其制备方法及应用-202210843165.X
  • 张荔;胡沁雪;赵萍萍;马程;许雨萌;杨艳玲;锁国权;叶晓慧 - 陕西科技大学
  • 2022-07-18 - 2022-11-04 - H01L35/34
  • 本发明涉及一种硒化银/单壁碳纳米管柔性复合薄膜及其制备方法及应用,属于柔性热电材料制备技术领域。所述制备方法配置单壁碳纳米管的分散液,往分散液中添加硒源、表面形貌剂和还原剂,混合均匀,合成硒纳米线/单壁碳纳米管的复合物;以复合物中的硒纳米线为模板,在乙二醇溶液中加入硝酸银反应,得到硒化银/单壁碳纳米管的复合物;将得到产物分散于无水乙醇中,以多孔滤膜为基底,抽滤,真空干燥;后进行冷压、热处理,得到复合薄膜。从而实现硒化银/单壁碳纳米管柔性复合薄膜功率因数的最大提升;弥补p型单壁碳纳米管和n型硒化银直接复合后塞贝克系数的损失,实现硒化银/单壁碳纳米管复合薄膜热电性能与抗弯曲性能的同步提升。
  • 基于高压手段辅助制备高性能氧化物热电材料的方法-202210781986.5
  • 陈雷明;赵志辉;郑春蕊;代灿丽;潘政牛;许阳;陈博宇;王宏志;张燕 - 郑州航空工业管理学院
  • 2022-07-05 - 2022-11-04 - H01L35/34
  • 基于高压手段辅助制备高性能氧化物热电材料的方法,包括以下步骤:1)合成Ca9Co12O28纯相粉体;2)高压压制成高压样品;3)对高压样品进行处理;4)对高压样品进行综合表征测试。本发明通过利用国产六面顶高压压机对固相合成法合成的纯相Ca9Co12O28粉体进行简单的高压压制,即可得到超高致密度、高机械加工强度、高电导率、高功率因子的样品,更重要的是能够通过高压压力来对热导率进行反向调控,从而能够在大幅提高样品电性能的同时有效的遏制热导率的恶化,进而协调调控样品的热电性能。采用成熟六面顶高压压机进行Ca9Co12O28氧化物热电材料的规模化生产制备,能够有效控制产业化成本,可行性强。
  • 热电转换元件的制造方法-202180020247.8
  • 松田三智子;岛田武司 - 日立金属株式会社
  • 2021-03-22 - 2022-11-01 - H01L35/34
  • 本发明提供一种热电转换元件的制造方法。如果为了量产而大型化,则由于加压面的面积大型化而载荷不足等,因此存在加压烧结时的压力容易不足、热电转换元件的相对密度容易不足的课题。作为解决手段,热电转换元件的制造方法的特征在于包括:将含有Sb的方钴矿型的热电转换材料粉末与含有由Mn和Sb组成的化合物的烧结助剂混合而得到混合物的工序;以及烧结所述混合物的工序。
  • 一种柔性Cu-Se纳米线/甲基纤维素复合热电薄膜的制备方法-202210812484.4
  • 杜永;秦杰;柯勤飞 - 上海应用技术大学
  • 2022-07-11 - 2022-11-01 - H01L35/34
  • 本发明涉及一种热电材料,具体涉及一种柔性Cu‑Se纳米线/甲基纤维素复合热电薄膜的制备方法,包括如下步骤:将SeO2和β‑环糊精溶于水得溶液A;将抗坏血酸溶于水得溶液B;溶液A滴入溶液B,搅拌、离心,沉淀转移至无水乙醇中超声分散并静置,离心后将产物分散于乙二醇中得分散液;将硫酸铜溶于乙二醇得溶液I;将抗坏血酸溶于水得溶液II;溶液I和溶液II加至分散液,离心、干燥得粉体;将MC溶于水,加入粉体得复合浆料;通过丝网印刷将复合浆料印刷在基底上,干燥得粗品;对粗品冷压处理;对冷压粗品退火处理,得柔性复合热电薄膜。与现有技术相比,本发明所得复合薄膜热电性能优,在热电发电和制冷器件领域具有广阔应用前景。
  • 一种具有热电臂结构的热薄膜器件及其制备方法-202011492651.9
  • 申利梅;陈艺欣;谢军龙;蒋勇;李美勇 - 华中科技大学
  • 2020-12-17 - 2022-11-01 - H01L35/34
  • 本发明属于薄膜热电器件相关技术领域,其公开了一种具有热电臂结构的热薄膜器件及其制备方法,所述方法包括以下步骤:(1)制作多个镂空的掩膜;(2)采用掩膜在衬底上沉积制备底部电极,并在所述底部电极的间隙处沉积绝缘层;(3)采用掩膜在所述底部电极及所述绝缘层上沉积P型热电臂并在所述P型热电臂上沉积P型扩散阻挡层;采用掩膜在所述底部电极及所述绝缘层上沉积N型热电臂并在所述N型热电臂上沉积N型扩散阻挡层;所述P型热热电臂及所述N型热电臂的边缘直接相连接;(4)在所述P型扩散阻挡层及所述N型扩散阻挡层上沉积制备顶部电极,由此完成制备。本发明简化了工艺,提高了成品率,且降低了成本。
  • MoSe2-202210813862.0
  • 杜永;黄荆龙;王磊;孟秋风 - 上海应用技术大学
  • 2022-07-11 - 2022-10-25 - H01L35/34
  • 本发明涉及一种热电材料,具体涉及一种MoSe2@C/PEDOT:PSS复合热电薄膜的制备方法,包括如下步骤:S1:将均苯三甲酸溶于无水乙醇中得溶液A;将五氯化钼溶于无水乙醇中得溶液B;将溶液A滴入溶液B中并反应得Mo‑MOF粉体;S2:将Mo‑MOF粉体与硒粉混合,在保护气氛下退火得MOF衍生MoSe2@C粉体;S3:将PEDOT:PSS溶液滴加至无水乙醇中并超声,再加入MOF衍生MoSe2@C粉体;将混合溶液通过真空抽滤转移至薄膜上,随后冷压处理,得到MoSe2@C/PEDOT:PSS复合热电薄膜。与现有技术相比,本发明的薄膜具有优异的热电性能,在柔性热电、制冷领域有较大的应用潜力。
  • 基于SON的热电红外传感器及制备方法-202210691258.5
  • 徐德辉 - 上海烨映微电子科技股份有限公司
  • 2022-06-17 - 2022-10-21 - H01L35/34
  • 本发明提供一种基于SON的热电红外传感器及制备方法,采用SON技术预制带有空腔的SON基底,避免了热电堆结构的释放工艺,从而简化了制作工艺;基于SON基底中的悬浮顶层硅制作热电偶结构,避免了热电材料的单独沉积,并且可利用顶层硅的塞贝克系数高的优点,SON基底中的CMOS电路结构的掺杂区及金属层均可分别与掺杂热电偶层及金属互联层同时制备,从而具有良好的制备便捷性及兼容性;SON基底中预制的密封真空腔,可减少热对流损耗,且在后续封装工艺中无需进行真空要求;整个热电堆悬浮结构为封闭膜结构,可提高热电堆悬浮结构的机械强度;本发明可适用于热电堆结构尺寸小及热电堆和CMOS电路集成的器件。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top