[发明专利]P面工艺监测结构及方法、晶圆结构有效
| 申请号： | 202010922604.7 | 申请日： | 2020-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN112071768B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 封波;彭翔;金力 | 申请（专利权）人： | 晶能光电（江西）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L27/15;H01L33/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种P面工艺监测结构及方法、晶圆结构，其中，P面工艺监测结构设置于晶圆片表面的预设监测区域，包括：多个相互分离且规则排列的测试结构，每个测试结构从下至上依次包括：N型缓冲层、N型GaN层、量子阱结构、P型GaN层及P型欧姆接触层，且多个测试结构中的至少一个测试结构中包含通过静电击穿至N型缓冲层的击穿点。其通过在晶圆片表面的监测区域中设置P面工艺监测结构，并通过静电将其中一个测试结构击穿至N型缓冲层的方式实现P面工艺(P面欧姆接触正常与否)的快速测试，为产线工艺异常判断提供确切的定量数值，从而便于工程师快速分析。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 监测 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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