[发明专利]一种提高AlGaN基深紫外LED空穴注入效率的结构在审
| 申请号： | 202010885215.1 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN111816740A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 赵德刚;杨静;王泓江 | 申请（专利权）人： | 北京蓝海创芯智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 南京智造力知识产权代理有限公司 32382 | 代理人： | 汪芬 |
| 地址： | 100093*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种提高AlGaN基深紫外LED空穴注入效率的结构，自下往上依次是衬底、AlGaN模板层、n型AlGaN层、AlGaN多量子阱发光区、p型AlGaN层和p型欧姆接触层；其中，AlGaN多量子阱发光区由Al |
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| 搜索关键词： | 一种 提高 algan 深紫 led 空穴 注入 效率 结构 | ||
【主权项】：
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