[发明专利]改善通孔刻蚀残留的方法有效
| 申请号： | 202010884276.6 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN111883411B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 黄达斐;吴晓彤 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改善通孔刻蚀残留的方法，在金属硬质掩模一体化刻蚀之后，包括：对刻蚀腔体的侧壁进行轰击，以使所述刻蚀腔体内的金属副产物及非金属副产物游离；向所述刻蚀腔体内通入第一反应气体，所述第一反应气体与所述金属副产物反应后生成第一反应物附着在所述刻蚀腔体的侧壁上；对所述刻蚀腔体的侧壁再次进行轰击，以使所述刻蚀腔体内的所述非金属副产物游离；向所述刻蚀腔体内通入第二反应气体，所述第二反应气体与所述非金属副产物反应后生成第二反应物附着在所述刻蚀腔体的侧壁上；对所述第一反应物及所述第二反应物的表面进行处理，以修复所述刻蚀腔体的内环境。本发明解决了现有技术中受副产物影响导致通孔刻蚀残留的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 刻蚀 残留 方法 | ||
【主权项】：
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