[发明专利]基于FPGA的SRAM存储器单粒子和充放电效应测试系统及方法有效
| 申请号： | 202010881163.0 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN112071359B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 路同山;苏京;徐骏;周博;曹康丽;李瑜婧;潘阳阳;高冬冬;费涛;刘刚 | 申请（专利权）人： | 南京航天航空大学;上海卫星装备研究所 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人： | 李佳俊;郭国中 |
| 地址： | 210000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于FPGA的SRAM存储器单粒子和充放电效应测试系统及方法，包括：测试单元；所述测试单元包括PC机、上位机、下位机、单粒子效应模拟源、充放电效应模拟源、电磁屏蔽单元；所述PC机通过串口与上位机相连；所述上位机通过屏蔽线与下位机相连；所述下位机安放于单粒子效应模拟源或充放电模拟源的环境中；所述PC机、上位机、电源单元安装于电磁屏蔽单元中。本发明能够在实验室模拟源辐照条件下获取SRAM存储器受单粒子效应和充放电效应综合影响下的特征参数，如翻转截面、翻转曲线、翻转阈值等信息参数，并比较器件受单粒子效应辐照后对充放电效应的影响和器件受充放电辐照后对单粒子效应的影响关系。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 fpga sram 存储器 粒子 放电 效应 测试 系统 方法 | ||
【主权项】：
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