[发明专利]记忆体单元及其制造方法、记忆体阵列在审
| 申请号： | 202010836748.0 | 申请日： | 2020-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN111933795A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 卓恩宗;张合静;许哲豪;袁海江 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 南霆;王宁 |
| 地址： | 518108 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请揭露一种记忆体单元及其制造方法和记忆体阵列。记忆体单元的制造方法包括：形成一开关元件，其中所述开关元件包含一第一电极；依序形成一第一金属层、一氧化物层与一第二金属层于开关元件上，其中第一金属层与第一电极电性连接；以及蚀刻第一金属层、氧化物层与第二金属层，以形成一记忆体结构。本申请将电阻式随机存取记忆体之非挥发性记忆体整合在开关元件中，并通过开关元件驱动包含有金属/绝缘物/金属结构的电阻式随机存取记忆体，是一种有别于传统技术的新型态的非挥发性记忆体。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆体 单元 及其 制造 方法 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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