[发明专利]高介电金属栅极制造方法在审
| 申请号： | 202010798550.8 | 申请日： | 2020-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN112038226A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 白文琦;黄志森;胡展源;张瑜;杨会山 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供高介电金属栅极制造方法，通过在底部阻挡层上形成盖帽层，则在虚拟多晶硅的去除过程中底部阻挡层被所述盖帽层保护，然后再去除所述盖帽层，则在伪栅极结构去除过程中不会消耗底部阻挡层，而不会导致底部阻挡层厚度变薄的问题，从而保证其对Al原子穿透效应的阻碍作用，而保证半导体器件性能，并工艺简单且易于实现，也无需增加额外光罩。 | ||
| 搜索关键词： | 高介电 金属 栅极 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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