[发明专利]一种具有M型磁阻曲线器件的制备方法有效
| 申请号： | 202010772285.6 | 申请日： | 2020-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN112038487B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 李慕禅;田仲政;彭沛;于学敏;于达程;任黎明;傅云义 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在垂直于衬底表面的磁场下具有M型磁阻曲线的器件的制备方法。该方法基于各向异性磁阻对电流流向与磁场方向之间的夹角非常敏感的特点，通过在沟道中间搭建构型体制作立体的三维复合型沟道，以此来改变沟道电流流向，使沟道电流具有水平与垂直两种流向，从而得到水平磁阻与垂直磁阻相叠加而产生的M型磁阻曲线。该种器件的尺度可在纳米到微米尺度之间调整，并且器件的磁阻特征可以通过改变沟道材料、沟道尺寸、构型物尺寸来调整。该种器件具备尺寸可控、可集成、工艺简单等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 磁阻 曲线 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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