[发明专利]一种单晶钻石薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202010772092.0 | 申请日： | 2020-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN111962148A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 欧欣;周李平;伊艾伦;游天桂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B25/18;C30B29/02;C30B33/06;C30B33/10;C30B33/02;C25F3/12;C30B29/64 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种单晶钻石薄膜的制备方法，包括以下步骤：获取钻石衬底和异质衬底；对钻石衬底的表面进行He离子注入，使注入的离子在钻石衬底相应的深度下聚集形成缺陷层，将钻石衬底中缺陷层之上的钻石薄膜作为同质外延的衬底；采用同质外延在钻石薄膜上生长一层单晶钻石薄膜；将单晶钻石薄膜与异质衬底键合，形成键合结构；对键合结构进行湿法腐蚀或电化学腐蚀，将缺陷层去除，使钻石薄膜转移至异质衬底表面；若对键合结构进行电化学腐蚀，则在将外延后的钻石薄膜与异质衬底键合步骤之前，对进行同质外延后的钻石衬底进行高温退火，使缺陷层发生石墨化，形成石墨化的缺陷层；其中，He离子的注入能量和注入剂量根据溶解缺陷层的方法分梯度设定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钻石 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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