[发明专利]高频双极型晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了高频双极晶体管的制备方法，在N型外延层、第一隔离沟槽上形成氮化硅层，氮化硅层包括贯穿氮化硅层且对应N型外延层的开口，向开口对应的N型外延层内形成基区结，便于后续在基区结内形成发射区结，使发射极的尺寸通过氮化硅的光刻和刻蚀来实现，向开口内形成多晶硅使其与基区结的接触面积增大，降低了接触电阻，使第一氧化层的表面与氮化硅层的表面齐平，侧墙和第一氧化层对多晶硅进行有效保护，基区采用P型接触区替代多晶硅接触，降低了基区的电阻，在制备过程中只存在一次多晶硅的制作，简化了制备流程，工艺易实现，降低了制备成本，也提高了高频双极晶体管的成品率。本发明还提供高频双极晶体管，使器件的工作性能提高。