[发明专利]具有突变掺杂剂分布的高纵横比的源极或漏极结构

摘要

具有突变掺杂剂分布的高纵横比的源极或漏极结构。描述了具有带有突变掺杂剂分布的源极或漏极结构的集成电路结构。在示例中，集成电路结构包括水平纳米线的垂直布置。栅极叠层在水平纳米线的垂直布置周围。第一外延源极或漏极结构在水平纳米线的垂直布置的第一端。第二外延源极或漏极结构在水平纳米线的垂直布置的第二端。第一和第二外延源极或漏极结构包括硅、磷和砷，其中磷的原子浓度大体上与砷的原子浓度相同。