[发明专利]制造晶硅太阳能电池片的方法以及晶硅太阳能电池片

摘要

本发明涉及一种制备晶硅太阳能电池片的方法和晶硅太阳能电池片。该方法包括如下步骤：设置N型硅片；在N型硅片的顶表面上进行硼扩散生成P型掺杂层；在P型掺杂层的顶表面上进行链式氧化从而生成二氧化硅保护层；在N型硅片的底表面上设置二氧化硅隧穿层；在二氧化硅隧穿层的底表面上通入磷源生成N型钝化层，N型钝化层为多晶硅钝化层或掺杂多晶硅钝化层。根据本发明，在制备N型钝化层之前先在硅片的顶表面上设置一层二氧化硅保护层，避免在制备N型钝化层时磷绕镀到顶表面，即能够保证电池片的PN结不被破坏，不容易产生电池短路或失效的问题。其中，通入硅源形成的二氧化硅保护层结构致密，能够起到优异的保护作用。