[发明专利]阻变存储器、阻变存储器芯片及其制备方法在审
申请号: | 202010554860.5 | 申请日: | 2020-06-17 |
公开(公告)号: | CN111682046A | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 孙雯;李辛毅;高滨;唐建石;吴华强;钱鹤 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L27/02;H01L45/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云;刘晓冰 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种阻变存储器、阻变存储芯片及其制备方法。该阻变存储器包括晶体管和阻变存储元件。该晶体管包括第一源漏极、栅极、第二源漏极以及分别与第一源漏极、栅极和第二源漏极电连接的第一源漏极连接电极、栅极连接电极和第二源漏极连接电极。该阻变存储元件包括第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间的阻变层,第一电极通过第二源漏极连接电极与第二源漏极电连接。第一源漏极连接电极、栅极连接电极、第二源漏极连接电极和阻变存储元件沿第一方向并列排布在同一平面上。由此,该阻变存储器可以实施限流作用下的原位透射电镜观测实验,并且得到高可靠性的实验数据。 | ||
搜索关键词: | 存储器 芯片 及其 制备 方法 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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