[发明专利]高性能晶圆级硫化铅近红外光敏薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202010532605.0 | 申请日： | 2020-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN111705297B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 邱继军;骆英民;边继明 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/26;C23C14/30;C23C14/35;C23C14/58;H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 李晓亮;潘迅 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： |
一种高性能晶圆级硫化铅近红外光敏薄膜及其制备方法，属于光电子器件领域。首先，对选取基底材料的表面进行清洁处理。其次，在高背景真空度下，将气化后的氧化剂引入真空蒸镀腔体，在洁净基底表面缓慢沉积PbS薄膜，获得颗粒适中、结构疏松、取向一致的微观结构。最后，在一定温度和压强条件下，载气携带碘蒸汽敏化处理S2所述PbS薄膜，得高性能晶圆级PbS光敏薄膜。本发明制备方法简单、制备成本低廉、重复性好，可实现晶圆级PbS光敏薄膜的制备，利于大规模商业化生产；制备PbS光敏薄膜光电探测率高，600K黑体室温峰值探测率8×10 |
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| 搜索关键词： | 性能 晶圆级 硫化铅 红外 光敏 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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