[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置，包括具有分别沿着存储器宏码的第一边缘及第二边缘的第一井引脚区域及第二井引脚区域。第一井引脚区域及第二井引脚区域大致上沿着第一方向呈纵向指向。在每个第一井引脚区域及第二井引脚区域中，存储器宏码包括沿着第一方向交替排列的多个n型井及多个p型井，每个n型井与相邻的p型井之间具有井边界。存储器宏码还包括主动区、隔离结构、栅极结构、以及设置于每个井边界处的第一介电层。由俯视图来看，第一介电层大致上沿着垂直于第一方向的第二方向延伸，并穿过第一井引脚区域及第二井引脚区域中的所有栅极结构。