[发明专利]多芯片IGBT模块键合线缺陷的监测电路及监测方法有效
| 申请号： | 202010512891.4 | 申请日： | 2020-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN111610422B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 王凯宏;周雒维;孙鹏菊;孙林;杨舒萌 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人： | 黄河 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了多芯片IGBT模块键合线缺陷的监测电路及监测方法，该监测电路包括驱动器，驱动器包括隔离电源单元、信号比较单元、信号运算单元、工作驱动单元和状态监测单元；隔离电源单元用于向其它各单元供电；信号比较单元用于将多芯片IGBT模块的门极电压Vge与基准预设值Vsth进行比较；信号运算单元用于向工作驱动单元和状态监测单元输出不同的控制信号；工作驱动单元控制多芯片IGBT模块的开通和关断；状态监测单元控制是否向多芯片IGBT模块内注入恒定的门极电流。既能保证多芯片IGBT模块的正常工作，又能在不拆卸的情况下方便地进行监测，确保准确的评估多芯片IGBT模块老化状态。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 igbt 模块 键合线 缺陷 监测 电路 方法 | ||
【主权项】：
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