[发明专利]LED芯片、高压LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 202010501911.8 | 申请日： | 2020-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN111710764A | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 邱伟 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州经*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED芯片、高压LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括单个LED芯片单元，该高压LED芯片包括多个LED芯片单元，该LED芯片单元依次包括衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层、电流扩展层、绝缘层，其中，该绝缘层具有暴露电流扩展层的一系列第一通孔。本发明的LED芯片、高压LED芯片及其制作方法通过在单层绝缘层上设置一系列暴露电流扩展层的第一通孔实现正电极到电流扩展层的高效电流扩展效果，优化了电极与电流扩展层的接触位置分布，提高供电效率及发光效果。单层绝缘层的设计在降低成本的同时保障了芯片的良率。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 高压 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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