[发明专利]集成电路及其形成方法有效
| 申请号： | 202010467796.7 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN112018068B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 高敏峰;杨敦年;林杏芝;刘人诚;蔡维道 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请的各个实施例针对集成电路(IC)，其中屏蔽结构阻止电荷从衬底通孔(TSV)附近迁移至半导体器件。在一些实施例中，该IC包括衬底、互连结构、半导体器件、TSV和屏蔽结构。互连结构位于衬底的前侧上并且包括导线。半导体器件位于衬底的前侧上，位于衬底和互连结构之间。TSV从衬底的背侧完全穿过衬底延伸到导线，并且包括金属。屏蔽结构包括PN结，PN结完全延伸穿过衬底，并且位于半导体器件和TSV之间。本发明的实施例还涉及集成电路的形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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