[发明专利]单晶炉加热装置、单晶炉及单晶炉的加热方法在审
| 申请号： | 202010461851.1 | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN111733447A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 蒲以松 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/14 | 分类号： | C30B15/14 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶炉加热装置、单晶炉及单晶炉的加热方法，单晶炉加热装置包括第一加热结构，且沿周向第一加热结构的上端部至下端部的高度一致；第二加热结构，位于第一加热结构下方；第三加热结构，位于第二加热结构下方；第一加热结构的加热控制机构与第二加热结构、第三加热结构的加热控制机构不同，且第一加热结构的高度满足在等径生长阶段坩埚中的熔液处于第一加热结构的高度范围内。本发明第一加热结构的上端部至第一加热结构的下端部的高度一致，在等径生长阶段第一加热结构提供的热量能使熔液维持熔融状态，使熔液中和固液界面处有足够的纵向温度梯度，保持整个等径过程平稳进行，保证固液界面波动很小，从而保证晶棒的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶炉 加热 装置 方法 | ||
【主权项】：
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