[发明专利]ITO薄膜及ITO透明导电玻璃的制备方法有效
申请号: | 202010450401.2 | 申请日: | 2020-05-25 |
公开(公告)号: | CN111785440B | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
发明(设计)人: | 宋世金;朱刘;任丽 | 申请(专利权)人: | 先导薄膜材料(广东)有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 511500 广东省清*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种ITO薄膜的制备方法,其包括如下步骤:S1:衬底清洗;S2:在衬底上采用磁控溅射生长变温缓冲层;S3:在变温缓冲层上采用磁控溅射生长取向生长层;S4:取向生长层到达设定的厚度后,停止生长;变温生长层和取向生长层共同形成ITO薄膜。与现有技术相比,本ITO薄膜及ITO透明导电玻璃的制备方法无需引入异质诱导层,具有工艺简便易控、易于大规模生产的优点,且在获得(004)择优取向ITO薄膜的同时,不会造成化学计量比尤其是氧缺位浓度的变化,ITO薄膜组分均一,ITO透明导电玻璃的透明导电性能优异。 | ||
搜索关键词: | ito 薄膜 透明 导电 玻璃 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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